[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010433142.2 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN111987078A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: 郑季洋;李在河;裴炳日 申请(专利权)人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L21/98;H01L23/48;H01L21/50
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子装置结构,其包括:

衬底,所述衬底具有导电结构;

电子装置,所述电子装置耦接到所述衬底;以及

第一导线结构,所述第一导线结构在至少三个位置中耦接到所述导电结构,其中:

所述第一导线结构位于至少两个电子装置上方;并且

所述第一导线结构包括连续单个导线结构。

2.根据权利要求1所述的电子装置结构,其中:

所述衬底包括:

顶表面;以及

底表面,所述底表面与所述顶表面相对;

所述导电结构邻近于所述顶表面;

所述电子装置包括:

第一电子装置,所述第一电子装置被安置成在第一位置处邻近于所述顶表面;以及

第二电子装置,所述第二电子装置被安置成在与所述第一电子装置侧向间隔开的第二位置处邻近于所述顶表面;并且

所述第一导线结构包括:

第一键合结构,所述第一键合结构连接到所述导电结构的第一部分;

第二键合结构,所述第二键合结构连接到所述导电结构的第二部分;

第三键合结构,所述第三键合结构连接到所述导电结构的第三部分;

第一导线部分,所述第一导线部分互连于所述第一键合结构与所述第二键合结构之间并且被安置成覆于所述第一电子装置上方;以及

第二导线部分,所述第二导线部分互连于所述第二键合结构与所述第三键合结构之间并且被安置成覆于所述第二电子装置上方。

3.根据权利要求2所述的电子装置结构,其中:

所述导电结构的所述第一部分包括第一导电衬垫;

所述导电结构的所述第二部分包括第二导电衬垫;

所述导电结构的所述第三部分包括第三导电衬垫;

所述第一电子装置插置于所述第一导电衬垫与所述第二导电衬垫之间;

所述第二电子装置插置于所述第二导电衬垫与所述第三导电衬垫之间;并且

所述第二键合结构与所述第一键合结构的类型不同。

4.根据权利要求3所述的电子装置结构,其中:

所述导电结构进一步包括:

第四导电衬垫,所述第四导电衬垫接近所述第一导电衬垫;

第五导电衬垫,所述第五导电衬垫接近所述第二导电衬垫;以及

第六导电衬垫,所述第六导电衬垫接近所述第三导电衬垫;

所述电子装置结构进一步包含第二导线结构,所述第二导线结构包括:

第四键合结构,所述第四键合结构连接到所述第四导电衬垫;

第五键合结构,所述第五键合结构连接到所述第五导电衬垫;

第六键合结构,所述第六键合结构连接到所述第六导电衬垫;

第三导线部分,所述第三导线部分互连于所述第四键合结构与所述第五键合结构之间并且被安置成位于所述第一电子装置上方;以及

第四导线部分,所述第四导线部分互连于所述第五键合结构与所述第六键合结构之间并且被安置成位于所述第二电子装置上方;

所述第五键合结构包括与所述第四键合结构不同的键合结构;

所述第二导线结构包括第二连续单个导线结构;并且

所述电子装置结构进一步包含用于所述第一电子装置的屏蔽结构,并且所述第二电子装置包括所述第一导线结构和所述第二导线结构。

5.根据权利要求3所述的电子装置结构,其中:

所述第二键合结构包括压缩键合结构,所述压缩键合结构包括:

第一压缩键合部分,所述第一压缩键合部分具有第一斜率;

第二压缩键合部分,所述第二压缩键合部分具有第二斜率;以及

第三压缩键合部分,所述第三压缩键合部分将所述第一压缩部分电性地和机械地耦接到所述第二压缩部分;

在横截面视图中,所述第三压缩键合部分与所述第二压缩键合部分形成钝角;并且

所述第三压缩键合部分的厚度小于所述第一压缩部分和所述第二压缩键合部分的厚度。

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