[发明专利]一种阵列基板及其制备方法有效
申请号: | 202010433344.7 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111596494B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 赵赫;谢克成 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1337;G02F1/1339 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括
第一衬底;
色阻层,设于所述第一衬底上方,所述色阻层为若干色阻单元排列的矩阵,设于所述矩阵边侧的所述色阻单元,其远离所述第一衬底的一侧表面处于同一水平面;以及
PI层,设于所述色阻层远离所述第一衬底的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括
挡墙,设于所述第一衬底的一侧表面,设于所述色阻层的边侧;以及
框胶,设于所述挡墙远离所述色阻层一侧,设于所述第一衬底的一侧表面。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述挡墙与所述显示区的距离为L1,所述框胶与所述显示区的距离为L2,L2与L1的比值为2~3。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述挡墙与所述色阻层之间具有一间隙,所述PI层设于所述间隙中。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括
薄膜晶体管结构,包括
第一金属层,设于所述第一衬底的一侧表面;以及
第一绝缘层,设于所述第一衬底的一侧表面,且覆盖所述第一金属层;
所述色阻层设于所述薄膜晶体管结构远离所述第一衬底的一侧表面。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
所述色阻单元包括红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元,其中,所述蓝色色阻单元的厚度大于所述红色色阻单元的厚度;所述蓝色色阻单元的厚度大于所述蓝色色阻单元的厚度;
第一绝缘层对应所述矩阵边侧的所述红色色阻单元的部分的厚度,大于第一绝缘层对应所述矩阵边侧的所述蓝色色阻单元的部分的厚度;以及
第一绝缘层对应所述矩阵边侧的所述绿色色阻单元的部分的厚度,大于第一绝缘层对应所述矩阵边侧的所述蓝色色阻单元的部分的厚度。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,还包括
导电层,设于所述色阻层上,所述PI层覆盖所述导电层。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供第一衬底;
在所述第一衬底上制备色阻层,所述色阻层为若干色阻单元排列的矩阵,其中,设于所述矩阵边侧的所述色阻单元,其远离所述第一衬底的一侧表面处于同一水平面;
在所述色阻层上制备PI层,其中,所述PI层覆盖所述导电层。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述第一衬底的制备步骤之后,还包括如下步骤:
在所述第一衬底上制备薄膜晶体管结构,其中,所述薄膜晶体管结构的制备步骤包括:
在所述基板上制备第一金属层;
在所述基板上制备第一绝缘层,所述第一绝缘层覆盖所述第一金属层;
保留部分所述第一绝缘层,对其余第一绝缘层进行刻蚀,其中,保留的所述第一绝缘层对应所述色阻层边侧的所述色阻单元。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,
所述色阻单元包括红色色阻单元、绿色色阻单元和蓝色色阻单元,其中,所述色阻层边侧的红色色阻单元对应的所述第一绝缘层、所述色阻层边侧的绿色阻单元对应的所述第一绝缘层不进行刻蚀。
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