[发明专利]改进的电极布置在审
申请号: | 202010433411.5 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111986979A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | A·马卡洛夫;W·布拉舒恩;J-P·哈奇尔德;D·切尔内绍;E·丹尼索夫 | 申请(专利权)人: | 塞莫费雪科学(不来梅)有限公司 |
主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/10;H01J49/42 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈洁;周全 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 电极 布置 | ||
1.一种用于离子阱、离子过滤器、离子导向器、反应池或离子分析仪的电极布置,所述电极布置包括:
RF电极,所述RF电极机械地联接到介电材料;
其中所述RF电极通过多个分隔件机械地联接到所述介电材料,所述多个分隔件被间隔开并被配置成限定所述RF电极与所述介电材料之间的间隙,并且其中所述多个分隔件中的每个分隔件包括凸出部分并且所述介电材料包括对应收纳部分,使得在将所述RF电极联接到所述介电材料时,每个分隔件的所述凸出部分都被收纳在所述介电材料的所述对应收纳部分内。
2.根据权利要求1所述的电极布置,其中所述RF电极具有与所述介电材料相对的表面,优选地其中由所述分隔件限定的所述间隙位于所述RF电极的与所述介电材料相对的所述表面与所述介电材料之间。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的电极布置,其包括至少一个DC电极,所述至少一个DC电极位于所述介电材料与所述RF电极之间。
4.根据权利要求3在从属于权利要求2时所述的电极布置,其中:
所述DC电极跨所述介电材料延伸,使得所述DC电极的至少一部分直接位于所述RF电极的所述表面与所述介电材料之间;并且
其中所述RF电极的所述表面的通过所述DC电极与所述介电材料隔绝的表面积的比例为至少50%,优选地80%并且最优选地95%。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的电极布置,其中所述DC电极是分段的。
6.根据前述权利要求中任一项所述的电极布置,其中所述多个分隔件是导电的,优选地其中所述多个分隔件是金属的。
7.根据前述权利要求中任一项所述的电极布置,其中所述多个分隔件沿所述RF电极的表面被间隔开。
8.根据权利要求1所述的电极布置,其中每个凸出部分都从所述RF电极的与所述介电材料相对的表面延伸。
9.根据权利要求8所述的电极布置,其中每个对应收纳部分都包括形成于所述介电材料内的开口。
10.根据权利要求9所述的电极布置,其中每个开口都是通孔,所述通孔延伸贯穿所述介电材料,使得在将所述RF电极联接到所述介电材料时,每个凸出部分都延伸贯穿对应通孔。
11.根据权利要求3或权利要求4至10中任一项在从属于权利要求3时所述的电极布置,其中所述DC电极定位于所述介电材料的与所述RF电极相对的所述表面上。
12.根据权利要求11所述的电极布置,其中除了所述介电材料的暴露部分之外,所述DC电极沿所述介电材料的与所述RF电极相对的整个所述表面延伸,其中所述暴露部分包括在所述RF电极联接到所述介电材料时所述介电材料的与每个分隔件接触和/或邻近于每个分隔件的区域。
13.根据权利要求12所述的电极布置,其中所述暴露部分中具有槽。
14.根据权利要求3或权利要求4至13中任一项在从属于权利要求3时所述的电极布置,其中所述RF电极、所述DC电极和所述介电材料是平行的。
15.根据前述权利要求中任一项所述的电极布置,其中所述介电材料是玻璃、陶瓷或印刷电路板。
16.根据前述权利要求中任一项所述的电极布置,其中每个分隔件永久地固定到所述RF电极。
17.根据权利要求16所述的电极布置,其中每个分隔件被焊接到所述RF电极。
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