[发明专利]二硫化钼@二硫化钴@二氧化钛纳米管整体式电容型脱盐电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010434489.9 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN111498957B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 温晓茹;张东方;张璐;马向东;王昊 申请(专利权)人: 内蒙古大学
主分类号: C02F1/469 分类号: C02F1/469;C02F103/08
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 韩百翠
地址: 010020 内蒙古*** 国省代码: 内蒙古;15
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摘要:
搜索关键词: 二硫化钼 硫化 氧化 纳米 整体 电容 脱盐 电极 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二硫化钼@二硫化钴@二氧化钛纳米管整体式电容型脱盐电极的制备方法,其特征是,

(1)二氧化钛纳米管基底制备

将钛板依次经丙酮、乙醇和水超声处理后,利用阳极氧化法进行氧化,然后置于管式炉中升温至350~500℃高温煅烧2~3h,得到二氧化钛纳米管基底;

(2)配制制备氢氧化钴的混合溶液

将CoCl2、NH4Cl及CON2H4加入水中,经搅拌至全部溶解;控制CoCl2、NH4Cl与CON2H4的质量浓度比为1:2~3:1;

(3)水热反应制备氢氧化钴@二氧化钛纳米管

将步骤(1)的二氧化钛纳米管基底倾斜置于反应釜中,与内壁保持40~50°夹角,并加入步骤(2)制备的均匀混合溶液;将反应釜置于鼓风烘箱中140~180℃高温水热反应,得到氢氧化钴@二氧化钛纳米管;

(4)配制制备二硫化钼的混合溶液

将(NH4)2MoS4及SC(NH2)2加入水中,经搅拌至全部溶解;控制(NH4)2MoS4与SC(NH2)2的质量浓度比为1:1~1.5;

(5)制备二硫化钼@二硫化钴@二氧化钛纳米管整体式电容型脱盐电极

将步骤(3)的氢氧化钴@二氧化钛纳米管基底倾斜置于反应釜中,与内壁保持40~50°夹角,并加入步骤(4)制备的均匀混合溶液;将反应釜置于鼓风烘箱中190~220℃高温水热反应;待反应结束后取出基底,水洗、烘干后制得二硫化钼@二硫化钴@二氧化钛纳米管整体式脱盐电极。

2.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(1)阳极氧化法,其氧化电压为10~40V,氧化时间为20~50min,电解质浓度为0.5~1.5wt%的HF水溶液。

3.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(1)钛板的规格为:3*5cm2

4.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(1)的高温煅烧,以2.5~5℃/min的升温速率升温至350~500℃,煅烧在空气中进行。

5.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(2)配制制备氢氧化钴的混合溶液中,CoCl2、NH4Cl及CON2H4的浓度分别为3~7mg/mL,6~15mg/mL及3~7mg/mL。

6.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(3)水热反应时间为6~12h。

7.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(4)配制制备MoS2的混合溶液中,(NH4)2MoS4的浓度为4~10mg/mL;SC(NH2)2的浓度为5~15mg/mL。

8.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤(5)的高温水热反应的反应时间为18~24h。

9.权利要求1-8中任一项所述的制备方法所制备的二硫化钼@二硫化钴@二氧化钛纳米管整体式电容型脱盐电极。

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