[发明专利]一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元

权利要求书

1.一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，该簇超胞元有A、B、C、D、E、F、G、H共8种，其中的每一种超胞元均包括基体(1)，以及按照拟周期性排列凸起或者嵌入布置在所述基体(1)上的普通散射体振子(2-1)。

2.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述基体(1)上还设有缺陷散射体振子(2-2)。

3.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)形状是圆柱体、长方体或者正多边体。

4.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)是单组元或者二组元，在基体(1)上布置方式是嵌入型、单侧凸起型或者双侧凸起型。

5.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)的形状、组元数量、布置方式、大小和材料均相同。

6.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述普通散射体振子(2-1)为二组元，在基体(1)上按照凸起型布置时，内层振子和外层振子的半径或者边长相等，高度相等或不等。

7.根据权利要求2所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述缺陷散射体振子(2-2)存在时，缺陷散射体振子(2-2)与普通散射体振子(2-1)的形状、组元数量、布置方式、大小和材料中的某一项或者某几项不相同。

8.根据权利要求1所述的一簇可形成线缺陷周期复合结构的超胞元，其特征在于，所述基体(1)与普通散射体振子(2-1)、缺陷散射体振子(2-2)之间或者普通散射体振子(2-1)以及缺陷散射体振子(2-2)为二组元时，振子内层与振子外层之间采用粘贴或者焊接的连接方式。