[发明专利]具有刺形场板结构和电流扩散区的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，其包括第一导电类型的漂移区、形成在漂移区上方的第二导电类型的体区、以及通过体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；

在半导体衬底中形成的多行刺形场板结构，刺形场板结构通过源极区和体区延伸到漂移区中；

条形栅极结构，其形成在半导体衬底中并将相邻行刺形场板结构分离；以及

第一导电类型的电流扩散区，其形成在半导体台面中的体区下方，所述半导体台面在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间并且没有条形栅极结构，电流扩散区被配置为增加所述半导体台面中的沟道电流分布。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中电流扩散区邻接刺形场板结构的侧壁。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，电流扩散区被条形栅极结构中的相邻条形栅极结构所界定。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中电流扩散区从每个刺形场板结构的侧壁横向延伸到相邻条形栅极结构的侧壁。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中电流扩散区包括在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间纵向延伸并与条形栅极结构中的近邻条形栅极结构相交的条带。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中条形栅极结构具有横向延伸部，所述横向延伸部在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间部分延伸，使得在每个横向延伸部与近邻的一个条形栅极结构之间存在间隙，并且其中电流扩散区被界定到条形栅极结构的横向延伸部与近邻条形栅极结构之间的间隙。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中电流扩散区包括条带，所述条带在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间纵向延伸并且在到达条形栅极结构中的近邻条形栅极结构之前终止。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中电流扩散区由接触凹槽限定，所述接触凹槽平行于条形栅极结构伸展并且与多行刺形场板结构对齐。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中刺形场板结构各自包括设置在沟槽中的场电极和使场电极与半导体衬底绝缘的场电介质。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中刺形场板结构各自包括连接到场电极并且比场电极窄的连接区，场电极比连接区更深地定位在沟槽中，并且其中电流扩散区与刺形场板结构的连接区相邻地形成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中电流扩散区在半导体衬底中比条形栅极结构的底部浅的深度处具有峰值掺杂浓度。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中每个条形栅极结构包括设置在沟槽中的栅电极和使栅电极与半导体衬底绝缘的栅极电介质，其中电流扩散区在栅极沟槽之下具有横向延伸部，并且其中栅极氧化物在栅极沟槽的底部更厚。

13.一种产生半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底中形成第一导电类型的漂移区、形成在漂移区上方的第二导电类型的体区、以及通过体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；

在半导体衬底中形成多行刺形场板结构，刺形场板结构通过源极区和体区延伸到漂移区中；

在半导体衬底中形成条形栅极结构，并将相邻行刺形场板结构分离；以及

在半导体台面中的体区下方形成第一导电类型的电流扩散区，所述半导体台面在刺形场板结构中的相邻刺形场板结构之间并且没有条形栅极结构，电流扩散区被配置为增加所述半导体台面中的沟道电流分布。

14.根据权利要求13所述的方法，其中形成电流扩散区包括使用用于形成源极区的相同光刻掩模通过体区注入第一导电类型的掺杂剂物质。