[发明专利]一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法

权利要求书

1.一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：

一、通过机械剥离方法制备TMDs层，通过干法转移将TMDs层转移到清洗干净的SiO₂/Si衬底上的SiO₂一侧，然后进行退火处理，退火后自然冷却至室温，备用；所述TMDs层的厚度为14nm~16nm，长为20μm~100μm，宽为20μm~100μm；

二、通过机械剥离方法制备InSe纳米片层，然后通过光学显微镜和原子力显微镜选择所需厚度的InSe纳米片层，并通过干法转移将InSe纳米片层转移至步骤一后的TMDs层上，然后进行退火处理，退火后自然冷却至室温，得到InSe与TMDs的异质结，完成二维过渡金属硫族化合物电接触的改善，所述InSe纳米片层为绝缘纳米片层，所述InSe纳米片层的厚度为4nm~12nm，利用电子束曝光的方式在InSe与TMDs的异质结的InSe纳米片层表面沉积Cr/Au电极，绝缘InSe纳米片层的插入降低了TMDs晶体管的接触势垒。

2.根据权利要求1所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，步骤一中所述TMDs为n-MoS₂或p-WSe₂。

3.根据权利要求1所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，步骤一中所述机械剥离方法具体过程为：用胶带粘贴n-MoS₂或p-WSe₂并按压使其减薄，然后将其粘在贴有PDMS薄膜的载玻片上，得到PDMS薄膜上的TMDs层。

4.根据权利要求1所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，步骤一中所述TMDs层的厚度为15nm。

5.根据权利要求1所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，步骤二中所述机械剥离方法具体过程为：用胶带粘贴InSe块体并按压使其减薄，然后将其粘在贴有PDMS薄膜的载玻片上，得到PDMS薄膜上的InSe纳米片层。

6.根据权利要求3或5所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，所述胶带为蓝膜胶带。

7.根据权利要求1所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，步骤一和步骤二中所述退火处理的具体条件为：氩气氛围，气体流量15sccm~25sccm，升温速率4℃/min~6℃/min，升温至温度为300~330 ℃，时间为1.5h~2.5h。

8.根据权利要求1所述的一种插入二维半导体硒化铟纳米片改善二维过渡金属硫族化合物电接触的方法，其特征在于，步骤一和步骤二中所述退火处理的具体条件为：氩气氛围，气体流量20sccm，升温速率5℃/min，升温至温度为310~320 ℃，时间为2h。