[发明专利]一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置和方法

权利要求书

1.一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，其包括高频电源以及与高频电源连接的水树培养皿。

2.根据权利要求1所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，所述高频电源包括调压器和与调压器连接的等离子电源，所述调压器调节电压幅值，等离子电源调节输出电压频率。

3.根据权利要求2所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，所述水树培养皿为电缆试样培养皿或电缆切片培养皿。

4.根据权利要求3所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，所述电缆切片培养皿包括杯体、设置在杯体内的NaCl溶液、插入杯体内的高压电极，设置在杯体底部的地电极；所述高压电极和地电极分别接入等离子电源两端；所述地电极上固定电缆的绝缘层切片。

5.根据权利要求3所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，所述电缆试样培养皿包括杯体、设置在杯体内的NaCl溶液，浸入NaCl溶液中的导体，所述导体两端贯穿杯体并在杯体外连接等离子电源，所述导体上穿置电缆试样的绝缘层。

6.根据权利要求4或5所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，所述NaCl溶液的浓度为0.18mol/L-1.8mol/L。

7.根据权利要求6所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养装置，其特征在于，所述等离子电源的电压频率为10kHz，每毫米厚度的绝缘层电压幅值为2kV。

8.一种高成功率电缆水树缺陷快速培养方法，其特征在于，其利用权利要求1-7任一项所述的培养装置，具体包括如下步骤：

（1）在待测电缆绝缘切片或电缆绝缘试样的外表面进行切口；

（2）将处理后的电缆绝缘切片或电缆绝缘试样置入对应的水树培养皿中，封闭水树培养皿后脱气；

（3）脱气完成后，水树培养皿连接高频电源进行水树培养；

（4）待测样品切片后显微镜观察并记录结果。

9.根据权利要求8所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养方法，其特征在于，所述步骤（1）中，切口深度占绝缘厚度的30-60%，曲率半径约为20-30μm。

10.根据权利要求8所述的一种高成功率电缆水树缺陷快速培养方法，其特征在于，所述步骤（2）中，将水树培养皿在真空箱中进行脱气，气压小于70Pa抽真空15分钟。