[发明专利]自适应升压装置和方法在审
申请号: | 202010436844.6 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111490691A | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 张洪;石泽发;徐明章;涂小平 | 申请(专利权)人: | 四川虹美智能科技有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02M3/156;H02M1/42 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 李世喆 |
地址: | 621050 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 自适应 升压 装置 方法 | ||
1.自适应升压装置,其特征在于,包括:整流电路、升压电路、驱动控制电路和自适应反馈电路;
所述整流电路分别与所述升压电路和所述驱动控制电路相连接;
所述驱动控制电路分别与所述升压电路和所述自适应反馈电路相连接;
所述整流电路,用于将外部输入的交流电转换为低压直流电,并将所述低压直流电传输给所述升压电路;
所述自适应反馈电路,用于检测输入所述整流电路的所述交流电的电压,并根据所述交流电的电压的大小向所述驱动控制电路传输相对应的反馈信号;
所述驱动控制电路,用于根据来自所述自适应反馈电路的所述反馈信号生成相对应的PWM控制信号,并将所述PWM控制信号传输给所述升压电路;
所述升压电路,用于根据来自所述驱动控制电路的所述PWM控制信号,按照相对应的升压比将来自所述整流电路的所述低压直流电转换为高压直流电。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述升压电路包括:电感、MOS管、第一电解电容、第一二极管、第二二极管、第一电阻、第二电阻和第三电阻;
所述电感的第一端与所述整流电路相连接,所述电感的第二端与所述MOS管的漏极相连接;
所述第一二极管的正极与所述MOS管的漏极相连接,所述第一二极管的负极与所述第一电解电容的正极相连接;
所述第一电解电容的正极与所述自适应反馈电路相连接,且所述第一电解电容的负极接地;
所述MOS管的源极接地,所述MOS管的栅极与所述第一电阻的第一端相连接,所述第一电阻的第二端与所述驱动控制电路相连接;
所述第二电阻的第一端与所述MOS管的源极相连接,所述第二电阻的第二端与所述MOS管的栅极相连接;
所述第二二极管的正极与所述MOS管的栅极相连接,所述第二二极管的负极与所述第三电阻的第一端相连接,所述第三电阻的第二端与所述第一电阻的第二端相连接。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述升压电路进一步包括:第一电容、第二电容、第四电阻和第三二极管;
所述第三二极管的正极与所述电感的第一端相连接,所述第三二极管的负极与所述第一二极管的负极相连接;
所述第一电容的正极与所述第一二极管的正极相连接,且所述第一电容的负极与所述第四电阻的第一端相连接,所述第四电阻的第二端与所述第一二极管的负极相连接;
所述第二电容的正极与所述电感的第二端相连接,且所述第二电容的负极接地。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述驱动控制电路包括:第一控制芯片、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第四二极管、第三电容和第四电容;
所述第五电阻的第一端与所述整流电路相连接,且所述第五电阻的第二端接地;
所述第六电阻的第一端与所述第五电阻的第一端相连接,且所述第六电阻的第二端与所述第一控制芯片的第一管脚相连接;
所述第四二极管的正极接地,且所述第四二极管的负极与所述第六电阻的第二端相连接;
所述第三电容的正极与所述第六电阻的第二端相连接,且所述第三电容的负极接地;
所述第四电容的正极与所述第一控制芯片的第二管脚相连接,且所述第四电容的负极接地;
所述第七电阻的第一端与所述第一控制芯片的第三管脚相连接,且所述第七电阻的第二端接地;
所述第一控制芯片,用于根据流经所述第五电阻的电流和来自所述自适应反馈电路的所述反馈信号生成所述PWM控制信号,并将所述PWM控制信号传输给所述升压电路。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述驱动控制电路进一步包括:第八电阻、第五电容和第六电容;
所述第八电阻的第一端与所述第一控制芯片的第四管脚相连接,且所述第八电阻的第二端与所述第五电容的正极相连接,所述第五电容的负极接地;
所述第六电容的正极与所述第一控制芯片的第四管脚相连接,且所述第六电容的负极接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川虹美智能科技有限公司,未经四川虹美智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010436844.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。