[发明专利]一种欠压锁定电路在审

专利信息
申请号: 202010436858.8 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN113725818A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 刘玉山;刘玉龙;张梁堂 申请(专利权)人: 厦门易创芯诚微电子有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02H3/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361011 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 锁定 电路
【权利要求书】:

1.一种欠压锁定电路,其特征在于:包括P型场效应管MP1、MP2、MP3、MP4,电阻R1,N型场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、齐纳管D1,P型场效应管MPU1……MPUn-1,MPUn和电源芯片功能电路;所述P型场效应管MP1的栅极与漏极短接,源极连接电源,漏极串接电阻R1到GND;所述P型场效应管MP2的源极连接电源,漏极依次串接N型场效应管MN1、MN2、MN3到GND;所述P型场效应管MP3的源极连接电源,漏极串接N型场效应管MN4到GND;所述P型场效应管MP1、MP2、MP3连接为电流镜结构,所述N型场效应管MN1和MN2接成二极管连接方式,栅极与漏极短接;所述N型场效应管MN3和MN4接成电流镜结构;所述P型场效应管MP4的源极和漏极分别连接于N型场效管MN2的漏极和源极,栅极连接于P型场效应管MP3和N型场效应管MN4之间,即欠压锁定信号UVLO输出端;所述齐纳管D1的阴极接欠压锁定信号UVLO输出信号,阳极接GND;所述P型场效应管MPU1……MPUn-1的栅极接欠压锁定信号UVLO输出信号,源极接电源,漏极连接电源芯片功能电路到GND。

2.根据权利要求1所述的一种欠压锁定电路,其特征在于:所述P型场效应管MP1、MP2、MP3尺寸一样。

3.根据权利要求1所述的一种欠压锁定电路,其特征在于:所述N型场效应管MN3和MN4的宽长比之比为1:50。

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