[发明专利]晶圆厚度的测量方法及测量装置

权利要求书

1.一种晶圆厚度的测量方法，其特征在于，包括：

将厚度为T0的标准晶圆放置于承载台，调节设置在测量镜头上的马达在Z方向的位置以对所述标准晶圆进行自动对焦，当自动对焦完成后记录所述马达所处的第一位置高度H1；

将待测晶圆放置于所述承载台，在所述第一位置高度H1的基础上调节所述马达在Z方向的位置以对所述待测晶圆进行自动对焦，当自动对焦完成后记录所述马达所处的第二位置高度H2；

计算所述待测晶圆的厚度T，T＝T0+H2-H1。

2.根据权利要求1所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，采用自动对焦模组对所述标准晶圆和所述待测晶圆进行自动对焦。

3.根据权利要求2所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，自动对焦过程中，调节所述马达在Z方向的位置，以改变所述测量镜头的焦距，进而改变到达所述标准晶圆或所述待测晶圆的光强，当光强达到最大时，透过所述测试镜头的入射光的焦平面与所述标准晶圆或所述待测晶圆的表面重合，自动对焦完成。

4.根据权利要求1所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，还包括:自动对焦过程中，对所述标准晶圆进行多点扫描，并记录自动对焦完成后每一个扫描点对应的所述马达的第一位置高度H1；

对所述待测晶圆进行多点扫描，与并记录自动对焦完成后每一个扫描点对应的所述马达的第二位置高度H2，所述待测晶圆的扫描点与所述标准晶圆的扫描点一一对应。

5.根据权利要求4所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，计算每一个扫描点对应的所述待测晶圆的厚度，取所有扫描点对应的所述待测晶圆的厚度的平均值作为所述待测晶圆的厚度。

6.根据权利要求5所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，还包括:获取所述扫描点中所述待测晶圆的厚度的最大值T_max和最小值T_min，计算所述待测晶圆的总厚度变化TTV，TTV＝T_max-T_min。

7.根据权利要求1所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，还包括：对所述待测晶圆的厚度进行重复性测试。

8.根据权利要求2所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，通过在晶圆缺陷检测机台上安装所述自动对焦模组以实现所述标准晶圆和所述待测晶圆的自动对焦。

9.根据权利要求8所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，所述自动对焦模组中包括CMOS图像传感器。

10.根据权利要求1-9任一项所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，所述待测晶圆为重掺杂晶圆。

11.根据权利要求10所述的晶圆厚度的测量方法，其特征在于，所述待测晶圆为重掺杂砷或磷的晶圆。

12.一种晶圆厚度的测量装置，其特征在于，包括：

承载台，用于承载晶圆；

照明模组，用于提供照明光束；

测量镜头，用于对所述晶圆进行成像，所述测量镜头上设置有在Z方向移动的马达；

自动对焦模组，用于对所述晶圆进行自动对焦；

其中，通过调节所述马达在Z方向位置以调节所述测量镜头的焦距，使透过所述测试镜的入射光的焦平面与所述晶圆的表面重合，以完成自动对焦，进而通过马达在Z方向的位置的变化间接计算出晶圆的厚度。