[发明专利]一种半导体封装及其制备方法

说明书

本发明涉及一种半导体封装及其制备方法，该方法包括以下步骤：在载体基板上设置半导体芯片，在承载有半导体芯片的所述载体基板上依次形成第一聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜、第一金属铜纳米线薄膜、第二聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜、第二金属铜纳米线薄膜、第三聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜、第三金属铜纳米线薄膜、第四聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜以及塑封层，接着去除所述载体基板，接着在所述塑封层和所述半导体芯片上形成重新分布层，使得所述半导体芯片与所述重新分布层电连接。

技术领域

本发明涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体封装及其制备方法。

背景技术

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化、切筋和成型、电镀以及打印等工艺。典型的封装工艺流程为：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印、切筋和成型、外观检查、成品测试以及包装出货。现有普遍使用的芯片级电磁干扰屏蔽结构在封装完成后用喷涂或溅射的方法在封装表面制作一层导电层。由于为片级工艺，较耗时；且封装后的表面较粗糙，较难保证导电层的连续性。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体封装及其制备方法。

为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种半导体封装的制备方法，包括以下步骤：

1)提供一载体基板，在所述载体基板上设置临时粘结层，接着在所述临时粘结层上设置半导体芯片。

2)接着在承载有半导体芯片的所述载体基板上旋涂第一含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液，其中所述第一含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液中聚甲基丙烯酸甲酯的浓度为10-15mg/ml，接着进行退火处理，以形成第一聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜。

3)接着在所述第一聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜上旋涂第一含有金属铜纳米线的悬浮液，其中所述第一含有金属铜纳米线的悬浮液中金属铜纳米线的浓度为10-20mg/ml，接着进行退火处理，以形成第一金属铜纳米线薄膜。

4)接着在所述第一金属铜纳米线薄膜上旋涂第二含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液，其中所述第二含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液中聚甲基丙烯酸甲酯的浓度为5-10mg/ml，接着进行退火处理，以形成第二聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜。

5)接着在所述第二聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜上旋涂第二含有金属铜纳米线的悬浮液，其中所述第二含有金属铜纳米线的悬浮液中金属铜纳米线的浓度为5-10mg/ml，接着进行退火处理，以形成第二金属铜纳米线薄膜。

6)接着在所述第二金属铜纳米线薄膜上旋涂第三含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液，其中所述第三含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液中聚甲基丙烯酸甲酯的浓度为20-30mg/ml，接着进行退火处理，以形成第三聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜。

7)接着在所述第三聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜上旋涂第三含有金属铜纳米线的悬浮液，其中所述第三含有金属铜纳米线的悬浮液中金属铜纳米线的浓度为15-25mg/ml，接着进行退火处理，以形成第三金属铜纳米线薄膜。

8)接着在所述第三金属铜纳米线薄膜上旋涂第四含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液，其中所述第四含有聚甲基丙烯酸甲酯的甲苯溶液中聚甲基丙烯酸甲酯的浓度为3-6mg/ml，接着进行退火处理，以形成第四聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜。

9)接着在所述第四聚甲基丙烯酸甲酯钝化薄膜上形成塑封层，所述塑封层覆盖所述载体基板和所述半导体芯片。

10)接着去除所述载体基板，接着在所述塑封层和所述半导体芯片上形成重新分布层，使得所述半导体芯片与所述重新分布层电连接。