[发明专利]学习速率自调节方法、装置、终端设备和可读存储介质有效
申请号: | 202010438310.7 | 申请日: | 2020-05-21 |
公开(公告)号: | CN111582484B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 刘海军;李清江;陈长林;李纪伟;李楠;徐晖;刁节涛;宋兵;刘森;王义楠;王伟;于红旗;李智炜;步凯;王玺 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | G06N3/09 | 分类号: | G06N3/09;G06N3/049 |
代理公司: | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人: | 孔默 |
地址: | 410000 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 学习 速率 调节 方法 装置 终端设备 可读 存储 介质 | ||
1.一种学习速率自调节方法,其特征在于,应用于忆阻器脉冲神经网络,所述忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器,该方法包括:
根据所述忆阻器的实时电导值获取所述忆阻器的实时权值;
获取所述忆阻器的电导的非线性度值;
根据所述非线性度值确定对应的忆阻器电导响应参数;
根据所述忆阻器两端的电势差、所述忆阻器电导响应参数和所述实时权值确定所述非线性度值对应的所述忆阻器的权值更新量以调节学习速率;
其中,所述忆阻器电导响应参数包括忆阻器电导响应系数和忆阻器电导响应速度参数,根据以下公式获取所述权值更新量:
,代表权值更新量,代表所述电势差为正值,代表所述电势差为负值,代表在所述电势差为正值时对应的忆阻器电导响应系数、代表在所述电势差为正值时对应的忆阻器电导响应速度参数、代表在所述电势差为负值时对应的忆阻器电导响应系数,代表在所述电势差为负值时对应的忆阻器电导响应速度参数,代表所述实时权值;
其中,所述忆阻器脉冲神经网络的训练阶段包括预处理时期和原位更新时期,所述电势差的确定包括:
在所述预处理时期,获取所述忆阻器的前向神经元的输出端和后向神经元的输出端确定的弱信号;在所述原位更新时期,根据所述前向神经元的输出端确定的弱信号确定所述忆阻器前端的前驱动信号;根据输入神经元产生的初始驱动信号和所述后向神经元的输出端确定的弱信号确定所述忆阻器后端的后驱动信号;根据所述前驱动信号与所述后驱动信号确定所述电势差。
2.根据权利要求1所述的学习速率自调节方法,其特征在于,所述根据所述忆阻器的电导值获取所述忆阻器的实时权值,包括:
根据以下公式获取所述实时权值:
,代表所述实时权值,和分别代表所述忆阻器的最小电导值和最大电导值,表示所述忆阻器的实时电导值。
3.根据权利要求1所述的学习速率自调节方法,其特征在于,所述获取所述忆阻器的电导的非线性度值,包括:
根据以下公式获取所述非线性度值:
,代表所述非线性度值,、和分别代表当0、和个脉冲施加至所述忆阻器后的忆阻器权值,代表施加至所述忆阻器的总脉冲数。
4.根据权利要求1所述的学习速率自调节方法,其特征在于,所述忆阻器电导响应参数是根据所述非线性度值查找参数对照表确定的,所述参数对照表根据不同的非线性度值通过仿真实验预先获得。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的学习速率自调节方法,其特征在于,当所述电势差的幅值大于等于所述忆阻器的电压限值时,根据所述权值更新量更新所述忆阻器的权值。
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