[发明专利]学习速率自调节方法、装置、终端设备和可读存储介质有效

专利信息
申请号: 202010438310.7 申请日: 2020-05-21
公开(公告)号: CN111582484B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 刘海军;李清江;陈长林;李纪伟;李楠;徐晖;刁节涛;宋兵;刘森;王义楠;王伟;于红旗;李智炜;步凯;王玺 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06N3/09 分类号: G06N3/09;G06N3/049
代理公司: 北京超成律师事务所 11646 代理人: 孔默
地址: 410000 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 学习 速率 调节 方法 装置 终端设备 可读 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种学习速率自调节方法,其特征在于,应用于忆阻器脉冲神经网络,所述忆阻器脉冲神经网络中每一突触仅包含一个忆阻器,该方法包括:

根据所述忆阻器的实时电导值获取所述忆阻器的实时权值;

获取所述忆阻器的电导的非线性度值;

根据所述非线性度值确定对应的忆阻器电导响应参数;

根据所述忆阻器两端的电势差、所述忆阻器电导响应参数和所述实时权值确定所述非线性度值对应的所述忆阻器的权值更新量以调节学习速率;

其中,所述忆阻器电导响应参数包括忆阻器电导响应系数和忆阻器电导响应速度参数,根据以下公式获取所述权值更新量:

,代表权值更新量,代表所述电势差为正值,代表所述电势差为负值,代表在所述电势差为正值时对应的忆阻器电导响应系数、代表在所述电势差为正值时对应的忆阻器电导响应速度参数、代表在所述电势差为负值时对应的忆阻器电导响应系数,代表在所述电势差为负值时对应的忆阻器电导响应速度参数,代表所述实时权值;

其中,所述忆阻器脉冲神经网络的训练阶段包括预处理时期和原位更新时期,所述电势差的确定包括:

在所述预处理时期,获取所述忆阻器的前向神经元的输出端和后向神经元的输出端确定的弱信号;在所述原位更新时期,根据所述前向神经元的输出端确定的弱信号确定所述忆阻器前端的前驱动信号;根据输入神经元产生的初始驱动信号和所述后向神经元的输出端确定的弱信号确定所述忆阻器后端的后驱动信号;根据所述前驱动信号与所述后驱动信号确定所述电势差。

2.根据权利要求1所述的学习速率自调节方法,其特征在于,所述根据所述忆阻器的电导值获取所述忆阻器的实时权值,包括:

根据以下公式获取所述实时权值:

,代表所述实时权值,和分别代表所述忆阻器的最小电导值和最大电导值,表示所述忆阻器的实时电导值。

3.根据权利要求1所述的学习速率自调节方法,其特征在于,所述获取所述忆阻器的电导的非线性度值,包括:

根据以下公式获取所述非线性度值:

,代表所述非线性度值,、和分别代表当0、和个脉冲施加至所述忆阻器后的忆阻器权值,代表施加至所述忆阻器的总脉冲数。

4.根据权利要求1所述的学习速率自调节方法,其特征在于,所述忆阻器电导响应参数是根据所述非线性度值查找参数对照表确定的,所述参数对照表根据不同的非线性度值通过仿真实验预先获得。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的学习速率自调节方法,其特征在于,当所述电势差的幅值大于等于所述忆阻器的电压限值时,根据所述权值更新量更新所述忆阻器的权值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学,未经中国人民解放军国防科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010438310.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top