[发明专利]一种半导体激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体激光器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底的第一表面上形成外延层，制得外延片；

在所述外延片上形成脊形图形掩膜层；

将形成所述脊形图形掩膜层的所述外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀；

通入第二气体，与保护气混合后，在所述外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层；

去除所述外延片上的所述脊形图形掩膜层；其中，所述保护气及第二气体为非含氧气体。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述将形成所述脊形图形掩膜层的所述外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀，包括：

将形成所述脊形图形掩膜层的所述外延片置于具有第一预设温度、第一预设流量的保护气的MOCVD反应室中进行刻蚀，刻蚀气体为CBr₄或CCl₄。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，

第一预设温度的范围为650℃－850℃，保护气为AsH₃，第一预设流量为10sccm－300sccm，刻蚀气体通过H₂载入，刻蚀气体的流量为100sccm－1000sccm。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，在所述通入第二气体，在所述外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层之前，还包括：

关闭刻蚀气体，将所述反应室的温度调节至第二预设温度，将所述保护气的流量调节至第二预设流量。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述第二气体为TMGa，第二预设温度为500℃－700℃，第二预设流量为10sccm-120sccm。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述外延片上形成绝缘层，并制作电极。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为SiN，所述在所述外延片上形成脊形图形掩膜层，包括：

利用PECVD在所述外延片的第一表面沉积SiN；

利用光刻、刻蚀将脊形图形转移到所述SiN上，形成脊形图形掩膜层。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述外延层包括自下而上的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、接触层，所述在所述衬底的第一表面上形成外延层，包括：

将所述衬底放入MOCVD反应室内，逐层生长缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、接触层。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器的制作方法，其特征在于，所述外延片刻蚀的深度至上限制层。

10.一种半导体激光器，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，设置在所述衬底上，所述外延层包括脊形波导结构；

防氧化层，设置在所述脊形波导结构的外表面；

所述脊形波导结构和防氧化层通过如权利要求1－9任意一项所述的半导体的激光器的制作方法形成。