[发明专利]UVC-LED的COB封装结构及其制作方法在审
申请号: | 202010438722.0 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111463198A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 王维昀;王新强;李永德;王后锦;罗巍;康俊杰;袁治 | 申请(专利权)人: | 松山湖材料实验室 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/60;H01L33/54 |
代理公司: | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人: | 刘晓敏 |
地址: | 523000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | uvc led cob 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种UVC-LED的COB封装结构,其特征在于,其包括陶瓷线路板、陶瓷围坝、透明盖板、UVC-LED芯片、陶瓷绝缘板和反射层板,若干UVC-LED芯片分布在所述陶瓷线路板上形成发光区域,所述陶瓷绝缘板设置在所述陶瓷线路板上,且设有让所述UVC-LED芯片外露的开口,所述反射层板设置在陶瓷绝缘板上,且设有与所述开口相对应的扩口孔,所述反射层板的表面和扩口孔的孔壁均设有反射涂层,所述陶瓷围坝设置在所述陶瓷线路板上,且将所述发光区域圈围,所述透明盖板设置在陶瓷围坝上,且将所述发光区域的上方位置封闭。
2.根据权利要求1所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述扩口孔的孔壁倾斜角度为15°~45°。
3.根据权利要求1所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述反射涂层为反射率为70-99%,厚度为100-5000nm的高反射铝层、钼层或氧化镁层。
4.根据权利要求1所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述陶瓷围坝通过绝缘胶固定在所述陶瓷线路板上。
5.根据权利要求1所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述透明盖板通过绝缘胶固定在所述陶瓷围坝上。
6.根据权利要求5所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述透明盖板和绝缘胶之间设有金属保护层。
7.根据权利要求6所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述金属保护层为钛、铜、铝或铬中的一种或几种叠加或组合而成的金属膜,该金属膜的厚度为50-400nm。
8.根据权利要求4-7中任意一项所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:所述绝缘胶为环氧树脂、硅树脂或硅橡胶中的一种或几种。
9.根据权利要求1-7中任意一项所述的UVC-LED的COB封装结构,其特征在于:
所述陶瓷线路板的基板为氮化铝或氧化铝材料;
所述陶瓷绝缘板为采用氧化铝、氧化锆或ZTA陶瓷材料制成厚度小于0.15mm的板体;
所述反射层板为银、铝、铜、铁、不锈钢或铁镍合金中的一种或几种混合制成的金属板体;
所述UVC-LED芯片为发光波长200~280nm的深紫外光发光二极管芯片;
所述陶瓷围坝为采用氧化铝、氮化铝或氧化锆材料制成的坝体;
所述透明盖板为蓝宝石玻璃、石英玻璃或高硼玻璃。
10.一种UVC-LED的COB封装结构的制作方法,其特征在于:其包括以下步骤:
(1)将UVC-LED芯片焊接于陶瓷线路板上;
(2)将陶瓷围坝固定于陶瓷线路板上,并将所有的UVC-LED芯片圈围;
(3)预先在陶瓷绝缘板上开有与UVC-LED芯片的位置相对应的开口,将所述陶瓷绝缘板固定在所述陶瓷线路板上,且使各个UVC-LED芯片分别位于与其相对应的开口的中部位置;
(4)在反射层板的一表面贴掩膜,进行湿法刻蚀得到扩口孔,撕开掩膜,采用真空热蒸镀、真空溅射镀膜、电镀或者组合镀膜的方法对反射层板进行镀膜,以在反射层板的表面和扩口孔的孔壁形成反射涂层;
(5)将反射层板的另一表面与陶瓷绝缘板相紧贴,并使反射层板上的扩口孔相应与陶瓷绝缘板上的开口相对正,使穿过开口的UVC-LED芯片能伸入扩口孔内;其中扩口孔靠近陶瓷绝缘板一端的口径较小,另一端呈逐渐增大状;
(6)在透明盖板的粘胶处通过真空热蒸镀、真空溅射镀膜、电镀、烧结或者组合镀膜的方法镀有金属保护层,然后在金属保护层上涂覆绝缘胶,通过该绝缘胶粘贴固定陶瓷围坝上,以将所有的UVC-LED芯片封装在密闭空间内;
所述步骤(1)-(3)和(4)不分先后顺序。
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