[发明专利]微型发光二极管显示装置的制造方法

说明书

本发明公开了一种微型发光二极管显示装置的制造方法。该方法包括将多个微型发光二极管悬浮于液体模板上；通过电场牵引所述多个微型发光二极管形成有序阵列；将第一衬底靠近所述微型发光二极管阵列，以使得所述微型发光二极管阵列与第一衬底结合；移除液体模板；通过所述第一衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。本发明其可以简洁快速且精准地转移巨量的微型发光二极管，并具有高良率。

技术领域

本发明涉及显示装置制造，尤其涉及一种微型发光二极管显示装置的制造方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro-LED)就是“微”LED(发光二极管)，微型发光二极管阵列显示作为一种新显示技术，与其它显示技术，比如液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)、有机电激光显示(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)等离子显示(PlasmaDisplayPanel，PDP)等相比，其核心的不同之处在于其采用无机LED作为发光像素。

制作好的微小的LED需要转移到做好驱动电路的基底上。无论是电视还是手机屏，其像素的数量都是相当巨大的，以一个55寸4K电视为例，需要转移的晶粒就高达2400万颗(以4000x 2000x RGB三色计算)，即使一次转移1万颗，也需要重复2400次，这种技术叫做巨量转移。巨量转印设备是实现三基色Micro-LED芯片集成制造的关键。而4K或8K显示像素的尺寸较小，并且显示产品对于像素错误的容忍度也很低，一块有“亮点”或“暗点”的显示屏无法满足用户需求，所以将这些小像素可靠地转移到做好驱动电路的衬底上并实现电路连接是十分困难、复杂的技术。实际上，“巨量转移”确实是目前Micro-LED商业化上面的一大瓶颈技术。其转移的效率，成功率都决定着商业化的成功与否。如何提高巨量转移后Micro-LED器件的良品率是值得研究的问题。将LED晶体薄膜无需封装直接搬运到驱动背板上，在Micro-LED的生产上，要把数百万甚至数千万颗微米级的LED晶粒正确且有效率的移动到电路基板上，

美国专利US20180053742A1提出将电子器件粘附于暂时性固定层，通过扩张该暂时性固定层来改变LED间距从而转移到承载基板上。由于此方法中暂时性固定层在横向和纵向均会扩张，难以确保横向转移精度，无法满足横向精度要求高的巨量转移，且暂时性固定层扩张倍数有限，无法满足大横向间距。中国专利CN201711162098所提出的Micro-LED的巨量转移方法，仅仅对具有上下沿非对称的LED进行转移，且使用预先设计的模具，无法满足电子元件间距。这些技术遇到的问题是：1)转移的Micro-LED芯片尺寸极小(3μm-10μm)，需要极高精度的操作技术；2)一次转移需要移动几万乃至几十万颗Micro-LED芯片，数量巨大；3)如何提升转移良率到99.99％，甚至更高。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种微型发光二极管显示装置的制造方法，其可以简洁快速且精准地转移巨量的微型发光二极管，并具有高良率。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是提供一种微型发光二极管显示装置的制造方法，其包括：

S1、将多个微型发光二极管悬浮于液体模板上；

S2、通过电场牵引所述多个微型发光二极管形成有序阵列；

S3、将第一衬底靠近所述微型发光二极管阵列，以使得所述微型发光二极管阵列与第一衬底结合；

S4、移除液体模板；

S5、通过所述第一衬底，将所述微型发光二极管阵列与目标基板结合，完成巨量转移。