[发明专利]具有导电底部填充接地平面的封装

权利要求书

1.一种封装半导体装置，其特征在于，包括：

半导体管芯；

载体；

多个电连接，所述多个电连接形成于所述半导体管芯与所述载体之间；

电隔离层，所述电隔离层覆盖所述多个电连接中的每个电连接的外表面；以及

在所述半导体管芯与所述载体之间并围绕所述多个电连接中的每个电连接的导电底部填充结构，其中所述电隔离层将每个电连接与所述导电底部填充结构电隔离。

2.根据权利要求1所述的封装半导体装置，其特征在于，

所述半导体管芯包括连接到所述半导体管芯内的有源电路系统的多个管芯焊盘。

3.根据权利要求2所述的封装半导体装置，其特征在于，

所述多个电连接中的每个电连接包括：

形成于一组所述多个管芯焊盘中的每个管芯焊盘上的凸点下金属化(UBM)，以及

形成于所述一组所述多个管芯焊盘的所述UBM上的多个接头。

4.根据权利要求2所述的封装半导体装置，其特征在于，

所述多个电连接中的每个电连接包括：

形成于所述一组所述多个管芯焊盘上的多个接头。

5.根据权利要求2所述的封装半导体装置，其特征在于，

所述多个管芯焊盘中的至少一个管芯焊盘是连接到接地线的接地管芯焊盘，

在所述接地管芯焊盘上形成有凸点下金属化(UBM)，并且

所述导电底部填充结构直接接触并电连接到所述UBM。

6.根据权利要求1所述的封装半导体装置，其特征在于，

所述载体包括多个连接焊盘，并且

所述多个电连接附接到一组所述多个连接焊盘。

7.根据权利要求2所述的封装半导体装置，其特征在于，

所述半导体管芯嵌入封装体中，并且

在所述半导体管芯的有源面之上形成有重新分布层(RDL)结构，其中

所述RDL结构包括将所述一组所述多个管芯焊盘与所述RDL结构的外表面上的一组接触焊盘电连接的连接路径，并且

所述多个电连接附接到所述一组接触焊盘。

8.一种用于制作封装半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

将介电包封料施涂到半导体管芯上的多个电连接或载体上的一组连接焊盘；

执行回流工艺以将所述多个电连接附接到所述一组连接焊盘，其中

所述介电包封料被配置成在所述回流工艺期间吸离给定电连接与相应连接焊盘之间的界面，并且

所述介电包封料被另外配置成在所述电连接附接到所述一组连接焊盘之后固化成覆盖所述多个电连接中的每个电连接的外表面的电隔离层；以及

在所述半导体管芯与所述载体之间形成围绕所述多个电连接中的每个电连接的导电底部填充结构，其中所述电隔离层将每个电连接与所述导电底部填充结构电隔离。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述导电底部填充结构直接接触并电连接到所述半导体管芯上、所述载体上、或两者上的至少一个接地焊盘。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，

所述介电包封料被另外配置成沿多个接头的外表面芯吸，上至所述半导体管芯的钝化表面并且下至所述载体的钝化表面。