[发明专利]具有环绕式电极的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

半导体衬底；

第一半导体区域，所述第一半导体区域形成于所述半导体衬底内；

第二半导体区域，所述第二半导体区域形成于所述半导体衬底内；

第一电极，所述第一电极耦接到所述第一半导体区域；

第二电极，所述第二电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第一电极，其中所述第二电极被所述第一电极环绕；

第三电极，所述第三电极耦接到所述第一电极并且耦接到所述第一半导体区域，其中所述第三电极包括所述第一电极的共享部分；以及

第四电极，所述第四电极耦接到所述第二半导体区域并且接近所述第三电极，其中所述第四电极耦接到所述第二电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电极被配置为阳极，所述第二电极被配置为阴极，所述第三电极被配置为阳极，并且所述第四电极被配置为阴极。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电极被配置为阴极，所述第二电极被配置为阳极，所述第三电极被配置为阴极，并且所述第四电极被配置为阳极。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体区域形成于所述半导体衬底的上部部分中，并且所述第二半导体区域形成于所述第一半导体区域下方。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体区域包括p型半导体，并且所述第二半导体区域包括n型半导体。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一半导体区域包括n型半导体，并且所述第二半导体区域包括p型半导体。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，第三半导体区域形成于所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一电极被配置为环绕所述第二电极的环。

9.一种半导体二极管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

n型半导体区域，所述n型半导体区域形成于所述半导体衬底内；

p型半导体区域，所述p型半导体区域形成于所述半导体衬底内、邻近所述n型半导体区域；

第一子单元，所述第一子单元包括：

第一阳极，所述第一阳极耦接到所述p型半导体区域；以及

阴极，所述阴极耦接到n型半导体区域并且接近所述第一阳极，其中第一阴极被所述第一阳极环绕；

第二子单元，所述第二子单元包括：

第二阳极，所述第二阳极耦接到所述第一阳极和第二p型半导体区域，其中所述第二阳极包括所述第一阳极的共享部分；以及

第二阴极，所述第二阴极耦接到所述n型区域并且接近所述第二阳极，其中所述第二阴极耦接到所述第一阴极；并且

其中所述第一子单元邻近所述第二子单元形成。

10.一种半导体p-i-n二极管，其特征在于，包括：

硅衬底；

p型半导体区域，所述p型半导体区域形成于所述硅衬底内；

n型半导体区域，所述n型半导体区域邻近所述p型半导体区域形成；

本征半导体区域，所述本征半导体区域形成于所述p型半导体区域与所述n型半导体区域之间；

第一阳极，所述第一阳极耦接到所述p型半导体区域；

第一阴极，所述第一阴极耦接到n型半导体区域并且接近所述阳极，其中所述第一阴极被所述第一阳极环绕；

第二阳极，所述第二阳极耦接到所述p型半导体区域；

第二阴极，所述第二阴极耦接到所述n型半导体区域并且接近所述第二阳极，其中所述第二阳极的一部分包括所述第一阳极；以及

隔离区域，所述隔离区域围绕所述第一阳极、所述第一阴极、所述第二阳极和所述第二阴极。