[发明专利]薄膜晶体管制备方法以及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、以及钝化层，在所述有源层上形成背沟道区、以及形成背沟道区两侧的源极接触区和漏极接触区；

使用制程气体对所述有源层的表面进行等离子体处理，以对所述背沟道区表面的刻蚀区材料进行断键/弱键修复，修复后的刻蚀区形成刻蚀修复层，在使用所述制程气体对所述有源层的表面进行等离子体处理的步骤中：提供一掩膜板，使用所述掩膜板对所述有源层进行等离子体处理，形成刻蚀修复层的第一部分和第二部分，所述第一部分与所述源极接触区触接，所述第二部分与所述漏极接触区触接，所述第一部分和所述第二部分未接触，在所述第一部分和所述第二部分之间沉积形成填充层，所述填充层材料与所述钝化层材料相同。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制备方法，其特征在于，在使用所述制程气体对所述有源层的表面进行等离子体处理的步骤中：

还可以通入氧气作为制程气体，形成所述刻蚀修复层，所述刻蚀修复层的材料为二氧化硅。

3.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底，以及位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极上的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上的有源层、位于所述有源层上的钝化层；以及

位于所述钝化层上的源极和漏极，所述有源层两端形成有源极接触区和漏极接触区，所述源极通过第一通孔连接所述源极接触区，所述漏极通过第二通孔连接所述漏极接触区；

其中，所述有源层还包括设置在所述源极接触区和所述漏极接触区之间的背沟道区，所述背沟道区包括背沟道层、以及设置在所述背沟道层上的刻蚀修复层，刻蚀修复层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述源极接触区触接，所述第二部分与所述漏极接触区触接，所述第一部分和所述第二部分未接触，在所述第一部分和所述第二部分之间沉积形成填充层，所述填充层材料与所述钝化层材料相同，所述刻蚀修复层提高了所述薄膜晶体管的稳定性。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀修复层材料的断键数量少于所述背沟道层材料的断键数量。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述刻蚀修复层的厚度大于20纳米。