[发明专利]一种锂离子电池自支撑硒化锑负极及其制备方法在审
申请号: | 202010439935.5 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111554872A | 公开(公告)日: | 2020-08-18 |
发明(设计)人: | 王星辉;李王阳;程树英;邓俐颖;张红 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01M4/04 | 分类号: | H01M4/04;H01M4/38;H01M4/58;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 丘鸿超;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锂离子电池 支撑 硒化锑 负极 及其 制备 方法 | ||
1.一种锂离子电池自支撑硒化锑负极,其特征在于,包括柔性集流体和直接生长于所述集流体表面的负极材料,所述柔性集流体为柔性金属箔,所述负极材料为具有微米片或微米柱结构的硒化锑。
2.根据权利要求1所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,该方法采用快速物理气相沉积法将硒化锑直接生长于金属集流体上作为储锂负极,包括以下步骤:
(1) 对金属箔进行清洗;
(2) 将金属箔置于真空腔室内的掩膜板上,将纯度高于设定值的硒化锑粉末均匀撒布于金属箔下侧的基底上作为蒸发源,控制金属箔与硒化锑粉末之间距离为10~30 mm;
(3) 对真空腔室抽真空,直至真空度满足生长条件;
(4) 对真空腔室内加温,控制硒化锑粉末蒸发温度为540~575 ℃,金属箔温度为100~250 °C,即两者温差为290~475 ℃,使硒化锑粉末蒸发并在金属箔上快速沉积,沉积时长为150~250 s;
(5) 沉积完成后,使真空腔室内温度降至150 °C以下,得到自支撑硒化锑负极。
3.根据权利要求2所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,所述基底采用可耐受500 °C以上高温的材料,包括钠钙玻璃和陶瓷材料。
4.根据权利要求2所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,所述快速沉积的沉积速度大于0.16 mg/(min·cm2)。
5.根据权利要求2所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,所述真空腔室的真空度小于1 Pa。
6.根据权利要求2所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,所述硒化锑负极不含添加成分。
7.根据权利要求2所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,所述硒化锑负极的可逆质量比容量大于500 mAh/g。
8.根据权利要求2所述的一种锂离子电池自支撑硒化锑负极的制备方法,其特征在于,所述金属箔为厚度低于0.1 mm的钛箔、铜箔、钼箔或不锈钢箔。
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