[发明专利]一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器

权利要求书

1.一种基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于:

所述的超宽截止窄带通滤波器的结构自下而上依次为：衬底(1)，底层一维光子晶体(2)，第一介质层(3)，负介电常数材料层(4)，第二介质层(5)，顶层一维光子晶体(6)；

所述的底层一维光子晶体(2)为生长方向垂直于衬底表面的周期性交替介质薄膜，由两种或两种以上的不同折射率的介质材料组成，其光子禁带包含超宽截止窄带通滤波器要求透过的中心波长λ₀；

所述的顶层一维光子晶体(6)为生长方向垂直于衬底表面的周期性交替介质薄膜，由两种或两种以上的不同折射率的介质材料组成，其光子禁带包含超宽截止窄带通滤波器要求透过的中心波长λ₀；

所述的第一介质层(3)的厚度要求波长在中心波长λ₀的入射光在第一介质层(3)上表面的反射相位满足Tamm等离激元的激发条件：其中k为整数，为负介电常数材料层(4)下表面的反射相位；

所述的第二介质层(5)的厚度要求波长在中心波长λ₀的入射光在第二介质层(5)下表面的反射相位满足Tamm等离激元的激发条件：其中k为整数，为负介电常数材料层(4)上表面的反射相位。

2.根据权利要求1所述的基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于：

所述的负介电常数材料层(4)的材料采用金属、合金、超材料或超导材料，其厚度区间为[0.01μm，1μm]。

3.根据权利要求1所述的基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于：

所述的衬底(1)的材料采用硅、二氧化硅、锗、硫化锌、砷化镓、铟镓砷、碲镉汞或有色玻璃。

4.根据权利要求1所述的基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于，在所述的衬底(1)的背面可增加提高窄带通的透过率的增透膜。

5.根据权利要求1所述的基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于，若所述的底层一维光子晶体(2)的上表面反射相位和负介电常数材料层(4)的下表面反射相位在中心波长处满足Tamm等离激元的激发条件其中k为整数，则可去掉第一介质层(3)。

6.根据权利要求1所述的基于Tamm态诱导的超宽截止窄带通滤波器，其特征在于，若所述的顶层一维光子晶体(6)的下表面反射相位和负介电常数材料层(4)的上表面反射相位在中心波长处满足Tamm等离激元的激发条件其中k为整数，则可去掉第二介质层(5)。