[发明专利]纳米晶材料电性能检测装置及纳米晶材料检测系统在审

专利信息
申请号: 202010440825.0 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111487482A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 任潇;徐一华;魏子健;周明;蒙海;曹葵康;蔡雄飞 申请(专利权)人: 苏州天准科技股份有限公司
主分类号: G01R29/22 分类号: G01R29/22
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 徐颖聪
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 纳米 材料 性能 检测 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种纳米晶材料电性能检测装置,所述纳米晶材料用于无线充电装置,其特征在于,包括:

升降平台(100),所述升降平台(100)用于承载纳米晶材料;

驱动装置(200),所述驱动装置(200)与所述升降平台(100)相连,用于驱动所述升降平台(100)进行升降运动;

电检测单元,所述电检测单元设置在所述升降平台(100)的上方;

压力检测装置,所述压力检测装置连接所述电检测单元,用于检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力,

所述电检测单元用于检测在所述压力状态下的所述纳米晶材料的电性能。

2.根据权利要求1所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,所述升降平台(100)包括:

上层平台(110),所述纳米晶材料承载于所述上层平台(110)之上;

下层平台(130),所述下层平台(130)设置在所述上层平台(110)的下方,连接所述驱动装置(200);

多个支撑柱(120),多个所述支撑柱(120)的底端设置在所述下层平台(130)的上表面,且顶端连接所述上层平台(110)。

3.根据权利要求2所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,每个所述支撑柱(120)包括弹性部件。

4.根据权利要求2所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,所述升降平台(100)中至少所述上层平台(110)的材料为绝缘材料,所述电检测单元为电路板(300)。

5.根据权利要求1所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,所述压力检测装置,包括:

底座(400),所述底座(400)的下表面连接所述电路板(300);

顶板(500),所述顶板(500)固定设置在所述底座(400)的上方;

压力传感器(800),所述压力传感器(800)设置在所述底座(400)的上表面,且连接所述顶板(500),通过所述压力传感器(800)检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力。

6.根据权利要求5所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,还包括支架(600),所述支架(600)包括:

支撑架(610);

侧板(620),所述侧板(620)位于所述支撑架(610)一侧,所述侧板(620)围绕且连接所述压力检测装置的顶板(500)。

7.根据权利要求6所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,所述顶板(500)包括:

上层板(510),所述上层板(510)设置在所述侧板(620)的顶端,所述上层板(510)在对应所述侧板(620)的顶端位置设置有多个第一贯穿孔;

螺栓(530),所述螺栓(530)穿过所述第一贯穿孔与所述侧板(620)的顶端相连接,所述螺栓(530)包括螺柱和螺帽;

弹簧(540),所述弹簧(540)夹持在所述螺帽与所述上层板(510)上表面之间。

8.根据权利要求7所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,还包括:

导向轴(700),所述导向轴(700)设置在所述底座(400)的上表面的拐角处;

所述顶板(500)还包括:

下层板(520),所述下层板(520)与所述上层板(510)固定连接,所述下层板(520)在所述导向轴(700)相应位置形成有容纳所述导向轴(700)的第二贯穿孔(521),在所述压力传感器(800)位置形成有容纳所述压力传感器(800)的凹槽(522)。

9.根据权利要求5所述的纳米晶材料电性能检测装置,其特征在于,所述底座(400)形成有腔室,所述腔室与吸气管相连通以对所述腔室进行抽真空,所述底座(400)的下表面分布有与所述腔室连通的吸气孔,以吸附所述电路板(300)。

10.一种纳米晶材料检测系统,其特征在于,包括权利要求1至9任一所述的纳米晶材料电性能检测装置。

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