[发明专利]一种双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器

说明书

本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器，所述底部衬底的底部设置有底部金属层，所述底部衬底的上方设置有中间介质层，所述中间介质层的上方设置有顶部介质，所述顶部介质的顶部设置有顶部金属层，所述下层交指通过过孔金属连接在底部衬底上，所述上层交指通过过孔金属连接在中间介质层上，所述上层交指设置在下层交指的正上方，所述上层交指、下层交指均至少有两个，所述底部衬底上设置有两个信号输入输出端。本发明通过双层微带线经由过孔金属连接在一起，减小了滤波器的尺寸，且本发明通过改变微带线的长度选择中心频率，具有群延时小、体积小且带外抑制高的优点。本发明用于射频信号的滤波。

技术领域

本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器。

背景技术

滤波器是一种可以抑制噪声、选择微波信号的频段范围的选频元件，在许多微波应用中起着重要的作用。传统的滤波器体积大、制造成本高并且不容易与单片集成电路集成，尤其在毫米波频段内插入损耗较大，目前人们将MEMS技术运用到微波滤波器的设计制造中，得到了高性能、小尺寸、重量轻，并且成本低的MEMS滤波器。MEMS滤波器可以用集总元件设计也可以用分布元件设计，它们可以利用各种结构实现，例如微带线、波导腔、共面波导等。

MEMS滤波器是目前MEMS器件中一个关键的器件，传统的微带线滤波器采用的单层交指微带线结构，而且传统的交指微带线滤波器的微带线比较长，因此体积较大。例如四川电子科技大学公开了一种微波交指滤波器（申请号：CN201620988268.5），滤波器壳体的上壁和下壁上分别设有一排负指电感和正指电感，所述负指电感和所述正指电感分别包括若干个电感单元，且两排电感单元交错分布，这种单层微带线结构的滤波器有中心频率偏高，带外抑制差，体积大的缺点。

发明内容

针对上述单层微带线结构的滤波器中心频率偏高、带外抑制差、体积大的技术问题，本发明提供了一种群延时小、体积小、带外抑制高的双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种双层四谐振单元的交指型低群延时滤波器，包括底部衬底、中间介质层、顶部介质、上层交指、下层交指、过孔金属、信号输入输出端、底部金属层、顶部金属层，所述底部衬底的底部设置有底部金属层，所述底部衬底的上方设置有中间介质层，所述中间介质层的上方设置有顶部介质，所述顶部介质的顶部设置有顶部金属层，所述下层交指通过过孔金属连接在底部衬底上，所述上层交指通过过孔金属连接在中间介质层上，所述上层交指设置在下层交指的正上方，所述上层交指、下层交指均至少有两个，所述底部衬底上设置有两个信号输入输出端，两个所述信号输入输出端分别与靠近外侧的两个下层交指连接。

所述上层交指、下层交指均采用微带线，所述上层交指、下层交指之间平行设置。

所述底部衬底的材料采用高阻硅。

所述上层交指、下层交指均设置有四个，所述上层交指、下层交指呈交指型排列。

所述顶部介质上设置有馈电线，所述馈电线通过过孔金属与信号输入输出端连接。

所述底部金属层、顶部金属层通过电镀的方式分别设置在底部衬底的底部与顶部介质的顶部。

本发明与现有技术相比，具有的有益效果是：

本发明通过双层微带线经由过孔金属连接在一起，减小了滤波器的尺寸，且本发明通过改变微带线的长度选择中心频率，具有群延时小、体积小且带外抑制高的优点，可以降低通信系统的误码率，改善通信质量，选择微波信号的频段范围，具有较高的实用性。

附图说明

图1为本发明的整体结构示意图；

图2为本发明的整体结构俯视图；