[发明专利]显示面板及其制作方法、掩膜板和发光装置在审
申请号: | 202010441474.5 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN113206125A | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 史文;陈亚文 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 隆前进 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 掩膜板 发光 装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括设有多个子像素的显示区域;所述显示区域包括中心区域、边缘区域和位于所述中心区域和所述边缘区域之间的过渡区域;
其中,所述中心区域的像素开口率大于所述过渡区域的像素开口率;所述过渡区域的像素开口率大于所述边缘区域的像素开口率。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区域的像素开口率为x,所述中心区域的像素开口率为105%x~140%x,所述边缘区域的像素开口率为60%x~95%x。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示区域的总面积为100%,所述中心区域的面积为1%~20%,所述边缘区域的面积为5%~20%,余下为所述过渡区域的面积。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述中心区域的面积为8%~12%,所述边缘区域的面积为8%~15%。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述中心区域的像素间隔、所述过渡区域的像素间隔及所述边缘区域的像素间隔相同;
所述中心区域的任意一个子像素开口率大于所述过渡区域的每一个子像素开口率;所述过渡区域的任意一个子像素开口率大于所述边缘区域的每一个子像素开口率。
6.根据权利要求1~5任一项所述的显示面板,其特征在于,沿所述边缘区域指向所述中心区域的方向上:
所述边缘区域的多个子像素开口率逐渐增大;和/或
所述过渡区域的多个子像素开口率逐渐增大;和/或
所述中心区域的多个子像素开口率逐渐增大。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述逐渐增大为连续依次增大或呈台阶式依次增大。
8.根据权利要求1~5任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为顶发射型显示面板。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述显示面板包括设有多个子像素的显示区域;所述显示区域包括中心区域、边缘区域和位于所述中心区域和所述边缘区域之间的过渡区域;
所述制作方法包括:
制作位于所述中心区域的子像素、位于所述过渡区域的子像素和位于所述边缘区域的子像素;所述中心区域的像素开口率大于所述过渡区域的像素开口率;所述过渡区域的像素开口率大于所述边缘区域的像素开口率。
10.一种掩膜板,其特征在于,所述掩膜板用于制作显示面板,包括设有多个蒸镀开口的蒸镀区域;所述蒸镀区域包括第一蒸镀区、第二蒸镀区和第三蒸镀区,所述第二蒸镀区位于所述第一蒸镀区和第二蒸镀区之间;
其中,所述第一蒸镀区的蒸镀开口的开口率大于所述第二蒸镀区的蒸镀开口的开口率;所述第二蒸镀区的蒸镀开口的开口率大于所述第三蒸镀区的蒸镀开口的开口率。
11.一种发光装置,其特征在于,所述发光装置包括权利要求1~8任一项所述的显示面板或采用权利要求9所述的制作方法制作得到的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的