[发明专利]纳米晶材料检测设备有效

专利信息
申请号: 202010441496.1 申请日: 2020-05-22
公开(公告)号: CN111573274B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 蒙海;蔡雄飞;魏子健;闻刘勇;任潇;周明;曹葵康;徐一华 申请(专利权)人: 苏州天准科技股份有限公司
主分类号: B65G47/91 分类号: B65G47/91;B65G29/00;G01D21/02
代理公司: 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 代理人: 徐颖聪
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 纳米 材料 检测 设备
【权利要求书】:

1.一种纳米晶材料检测设备,其特征在于,包括检测平台(200)和厚度检测装置(100),所述检测平台(200)用于承载待检测用纳米晶材料,所述厚度检测装置(100)用于对所述检测平台(200)上的纳米晶材料进行厚度检测,

所述厚度检测装置(100)包括:

支架(120),所述支架(120)设置在所述检测平台(200)的一侧;

位移传感器(130),所述位移传感器(130)设置在所述纳米晶材料的上方,用于检测所述检测平台(200)承载纳米晶材料与未承载纳米晶材料之间的高度差,并基于所述高度差确定所承载的纳米晶材料的厚度;

升降装置(140),所述升降装置(140)设置在所述支架(120)上且连接所述位移传感器(130),用于带动所述位移传感器(130)进行升降运动;

其中,所述升降装置(140)包括:

压板(142),所述压板(142)表面形成有贯穿孔,所述位移传感器(130)的至少一部分穿过所述贯穿孔以与纳米晶材料接触;

驱动件(141),所述驱动件(141)设置在所述支架(120)上且连接所述压板(142),以驱动所述压板(142)进行升降运动;

其中,所述位移传感器(130)包括:

位移传感器主体,所述位移传感器主体安装在所述支架(120)上;

探头,所述探头位于所述位移传感器(130)的下端且可上下活动,所述探头卡套在所述贯穿孔位置且其底端突出所述贯穿孔;

第一转盘(610),所述检测平台(200)设置在所述第一转盘(610)周向上,所述厚度检测装置(100)与所述第一转盘(610)相对设置,通过旋转所述第一转盘(610)能够使得所述检测平台(200)在接转料工位和厚度检测工位之间转换;

第一驱动装置(620),所述第一驱动装置(620)设置在所述第一转盘(610)的底部且连接所述第一转盘(610),用于驱动所述第一转盘(610)转动;

还包括纳米晶材料电性能检测装置(400)、第二转盘(510)、第二驱动装置(520)及转移装置(900),

所述纳米晶材料电性能检测装置(400)围绕所述第二转盘(510)设置,包括:升降平台(410)、驱动装置、电检测单元及压力检测装置,所述升降平台(410)设置在所述第二转盘(510)的周向,用于承载纳米晶材料以进行电性能检测,所述驱动装置与所述升降平台(410)相连,用于驱动所述升降平台(410)进行升降运动,所述电检测单元设置在所述升降平台(410)的上方且所述压力检测装置连接所述电检测单元,所述压力检测装置用于检测所述电检测单元与纳米晶材料之间的压力,所述电检测单元用于检测在所述压力状态下的所述纳米晶材料的电性能;

所述第二转盘(510)设置在所述第一转盘(610)的上游,所述升降平台(410)设置在所述第二转盘(510)的周向,通过旋转所述第二转盘(510)能够使得所述升降平台(410)到达接料工位、电性能检测工位及转料工位;

所述第二驱动装置(520)设置在所述第二转盘(510)的底部且连接所述第二转盘(510),用于驱动所述第二转盘(510)转动;

所述转移装置(900)设置在所述第一转盘(610)和所述第二转盘(510)的同一左侧或右侧,包括用于吸附纳米晶材料的吸盘(920)及驱动所述吸盘(920)进行移动的电机(910),以将承载在所述升降平台(410)的纳米晶材料转移至所述检测平台(200),并将承载在所述检测平台(200)的纳米晶材料转移出所述第一转盘(610)。

2.根据权利要求1所述的纳米晶材料检测设备,其特征在于,在所述压板(142)的下表面的四周设置有柔性挡条(143),以围绕在所述纳米晶材料的四周。

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