[发明专利]一种晶体基材的封装方法在审
| 申请号： | 202010441763.5 | 申请日： | 2020-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111604611A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 校金涛;陈基平 | 申请（专利权）人： | 福建科彤光电技术有限公司 |
| 主分类号： | B23K31/02 | 分类号： | B23K31/02;B23K37/00;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/34;C30B29/22;C30B29/30 |
| 代理公司： | 福州盈创知识产权代理事务所(普通合伙) 35226 | 代理人： | 吴德兰 |
| 地址： | 350014 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 基材 封装 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶体基材的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将晶体基材热沉外表面镀金，晶体底面镀金；
步骤2：然后将镀金的热沉装夹具，放入镀膜机真空腔，在钼舟中放入标准的铟料块材，采用直接加热蒸发镀制铟层；
步骤3：镀完后，立即晶体上盘，并放入真空回流焊中，以防止铟层氧化，等待焊接曲线完成后，取出晶体。
2.如权利要求1所述的一种晶体基材的封装方法，其特征在于，所述基材为铜、可伐合金或玻璃。
3.如权利要求1所述的一种晶体基材的封装方法，其特征在于，所述镀膜机的膜层材料为铟或锡。
4.如权利要求1所述的一种晶体基材的封装方法，其特征在于，所述晶体为三硼酸锂晶体（LBO）、偏硼酸钡晶体（BBO)或掺钕钒酸钇晶体(YVO4)。
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