[发明专利]石墨烯基电化学发光传感器的制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯基电化学发光传感器制备方法，其中，所述石墨烯基电化学发光传感器包括，以筒状多孔泡沫镍为基底，其特征在于，还包括负载于筒状多孔泡沫镍基底表面的多孔氧化石墨烯，偶联接枝在多孔氧化石墨烯上的氨基硅烷，以及修饰在氨基硅烷上的2，6-二（2-吡啶基）异烟酸基团；其特征在于，包括以下步骤：

（1）对筒状多孔泡沫镍基底清洗处理，去除表面的氧化膜，然后将清洗后的多孔泡沫镍基底埋入纳米石墨粉中，超声振动，使得纳米石墨粉渗入多孔泡沫镍基底的孔隙中，备用；其中，筒状多孔泡沫镍基底的内径为3-5mm，厚度为0.1-1mm，高度为10-20mm；

（2）将渗有纳米石墨粉的多孔泡沫镍基底浸入200ml浓硫酸溶液中，然后加入20-50ml高锰酸钾溶液，搅拌均匀，升温至80-90℃，滴加双氧水的同时施加超声振动，进行氧化反应，得到氧化石墨烯，然后进行去离子水超声清洗，去除未反应的石墨粉沉淀物，得到稳定负载在多孔泡沫镍基底表面的多孔氧化石墨烯；

（3）将制得表面负载有多孔氧化石墨烯的多孔泡沫镍基底浸入氨基硅烷偶联剂的乙醇溶液中，在60-80℃下进行偶联接枝反应；

（4）将经硅烷偶联剂偶联接枝反应后的多孔泡沫镍基底浸入2，6-二（2-吡啶基）异烟酸的四氢呋喃溶液中，然后加入三丙胺，进行加热反应，以便于将2，6-二（2-吡啶基）异烟酸基团稳定修饰在多孔氧化石墨烯表面。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述纳米石墨粉的粒径为20-500nm。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述多孔泡沫镍基底的孔径为1-100um。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，所述浓硫酸是质量百分比浓度为98%的浓硫酸。