[发明专利]垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构的发光背光源

说明书

本发明公开了一种垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极物膜基平层、阳极延系银弯层和薄发光层，所述的阳极物膜基平层和阳极延系银弯层相连，所述的薄发光层制作在阳极物膜基平层上面；在后硬透玻璃板上有垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构。具有发光背光源的发光强度均匀性优异的优点。

技术领域

本发明属于半导体科学与技术领域、光电子科学与技术领域、集成电路科学与技术领域、微电子科学与技术领域、纳米科学与技术领域、平面显示技术领域以及真空科学与技术领域的相互交叉领域，涉及到平面发光背光源的制作，具体涉及到一种碳纳米管阴极的平面发光背光源的制作，特别涉及到一种垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构的发光背光源及其制作工艺。

背景技术

碳纳米管阴极是平面发光背光源中的一个重要组成部分，其中碳纳米管进行电子发射时，其所发射的电子汇聚在一起，用于形成发光背光源的阴极电流。当然，碳纳米管阴极所提供的电子数量的多与少，和平面发光背光源的阴极电流大与小是密切相关的。随着对碳纳米管阴极的印刷制备、浆料调配等工艺的研究进展，从而也直接推动了平面发光背光源的产品研发进程。然而，在三极结构的发光背光源中，还有着一些技术难题有待克服。首先，碳纳米管阴极的电子发射效率比较低。在碳纳米管层中，并不是所有的碳纳米管都进行电子发射的，仅有少部分的碳纳米管能够进行正常发射电子，但其发射的电子数量也不太多，故而无法形成发光背光源的大阴极电流；而大部分的碳纳米管是并不进行发射电子的，既占用了碳纳米管阴极的制作面积，还有可能对少部分能够进行正常电子发射的碳纳米管形成干扰。这部分的碳纳米管也就是无效阴极，还需要采取解决办法。其次，门极电压对碳纳米管阴极电子发射的控制能力很差。一方面门极电压在碳纳米管层表面形成的电场强度并不完全一致，从而也致使有的碳纳米管能进行电子发射、而也有的碳纳米管不能进行电子发射现象的出现；另一方面较大的门极电压极易形成门极-阴极之间电学击穿现象的发生。上述技术难题有待于进一步查究。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于克服上述发光背光源中存在的缺陷和不足而提供一种发光背光源的发光强度均匀性优异的、且发光背光源的发光亮度高的垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构的发光背光源及其制作工艺。

技术方案：本发明的垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构的发光背光源，包括真空封闭体以及位于真空封闭体内的消气剂附属元件，所述的真空封闭体由前硬透玻璃板、后硬透玻璃板和玻璃窄框条构成；在前硬透玻璃板上有阳极物膜基平层、阳极延系银弯层和薄发光层，所述的阳极物膜基平层和阳极延系银弯层相连，所述的薄发光层制作在阳极物膜基平层上面；在后硬透玻璃板上有垂隔异度同凹面阴极双探头曲门控结构。