[发明专利]发光二极管及发光模组

权利要求书

1.一种发光模组，其特征在于，所述发光模组包括一发光二极管，所述发光二极管具有一外延发光结构，以产生具有宽波段蓝光光谱的一光束，其中，所述宽波段蓝光光谱的波形的半高波宽不小于30nm，并具有多个波峰转折点，且任两个最靠近的所述波峰转折点所分别对应的两个波长值之间的差值不超过18nm；

其中，所述外延发光结构包括一发光叠层，所述发光叠层包括交替堆叠的m个阱层以及m+1个势垒层，所述势垒层的厚度与所述阱层的厚度之间的比值范围是2.5至5倍，

其中，所述发光模组还包括一波长转换层覆盖所述发光二极管，所述光束通过所述波长转换层而产生具有白光光谱的一混合光束，其中，施加于所述发光二极管的操作电流密度在80mA/mm²至200mA/mm²的范围所得到的任两个白光光谱，在对应于波长范围450nm至500nm之间的任一波长相对于一标准光源光谱的两个光谱偏离指标之间的差值不超过0.3。

2.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，多个所述波峰转折点包括对应于一第一波长值以及一第一强度值的一第一波峰转折点、对应于一第二波长值以及一第二强度值的一第二波峰转折点、对应于一第三波长值以及一第三强度值的一第三波峰转折点，对应于一第四波长值以及一第四强度值的一第四波峰转折点以及对应于一第五波长值以及一第五强度值的一第五波峰转折点，所述第一波长值最小，所述第五波长值最长，所述第二波长值小于所述第三波长值，且所述第三波长值小于所述第四波长值。

3.根据权利要求2所述的发光模组，其特征在于，所述第一波长值不超过435nm，所述第二波长值介于430nm至450nm，所述第三波长值介于442nm至465nm，所述第四波长值介于455nm至475nm，所述第五波长值大于或等于470nm。

4.根据权利要求2所述的发光模组，其特征在于，所述第一强度值相对于所述第二强度值的比值范围由0.2至0.8，所述第三强度值相对于所述第二强度值的比值范围由0.4至1.4，所述第四强度值相对于所述第二强度值的比值范围由0.2至1.2，且所述第五强度值相对于所述第二强度值的比值范围由0.1至0.8。

5.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，当施加于所述发光二极管的操作电流密度在160mA/mm²至300mA/mm²的范围所得到的任两个白光光谱，在对应于波长范围450nm至500nm之间的任一波长相对于一标准光源光谱的两个光谱偏离指标之间的差值不超过0.2。

6.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，当施加于所述发光二极管的电流密度在80mA/mm²至200mA/mm²变化时，所述混合光束的显色指数的变化量不超过7。

7.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，当施加于所述发光二极管的电流密度在160mA/mm²至300mA/mm²变化时，所述混合光束的显色指数的变化量不超过10。

8.根据权利要求1所述的发光模组，其特征在于，所述外延发光结构还包括一P型半导体层以及一N型半导体层，所述发光叠层位于所述N型半导体层以及所述P型半导体层之间，其中，m个所述阱层包括至少五种分别具有不同禁带宽度的第一阱层、第二阱层、第三阱层、第四阱层以及第五阱层，以分别产生第一至第五子光束，所述第五子光束的波长最长，且所述第一子光束的波长最短；

其中，第1～x个靠近于所述N型半导体层的x个所述阱层中的至少其中一个为所述第五阱层，其中，x,m都为自然数，且x,m满足下列关系式:x≤(m/3)。

9.根据权利要求8所述的发光模组，其特征在于，至少第1～y个靠近于所述P型半导体层的y个所述阱层都是所述第一阱层，其中，y为自然数，且y,m满足下列关系式:y≥(m/4)。