[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202010443184.4 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN111564485A | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 张浩;刘利宾;韩林倩 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本公开实施例公开一种显示基板及其制作方法、显示装置,涉及显示领域,用于提高屏下摄像头与显示基板的对位精度,以及光线在显示基板中透光区的透过率,从而有效保证屏下摄像头的拍摄效果。所述显示基板具有显示区。显示区包括透光区和位于透光区周边的多个像素区。显示基板包括设置有定位孔的衬底、以及形成于衬底的一侧的至少一层绝缘层。定位孔位于透光区内。至少一层绝缘层在衬底上的正投影至少覆盖定位孔。本公开实施例提供的显示基板及其制作方法、显示装置用于实现屏下摄像头与显示基板精准对位。
技术领域
本公开涉及显示领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
随着人们对高视觉体验需求的增大,显示装置(例如手机、笔记本或平板电脑等)的屏幕设计的越来越大。为了实现更优的视觉效果,需要尽量增大屏幕中显示区的占比,即屏占比。
在显示装置中采用屏下摄像头技术,也即在显示装置中显示屏的显示区内设置透光区,可以利用该透光区对应安装前置摄像头或红外传感器等光学部件,从而进一步提高显示装置的屏占比。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,用于提高屏下摄像头与显示基板的对位精度,以及光线在显示基板中透光区的透过率,从而有效保证屏下摄像头的拍摄效果。
为达到上述目的,本公开一些实施例提供了如下技术方案:
一方面,提供了一种显示基板。该显示基板具有显示区。显示区包括透光区和位于透光区周边的多个像素区。显示基板包括设置有定位孔的衬底,以及形成于衬底的一侧的至少一层绝缘层。其中,定位孔位于透光区内。至少一层绝缘层在衬底上的正投影至少覆盖所述定位孔。
本公开实施例中,通过显示基板的衬底中位于透光区内的定位孔,能够为后续摄像头模组与显示基板的组装提供明确的对位依据,以有效提高对位精度,从而提高摄像头模组与显示基板之间的组装精度。
上述显示区的多个像素区分别位于透光区的周边,显示基板位于透光区内的膜层可以与其位于像素区内的膜层匹配设置,以确保透光区的透光率高于像素区的透光率。另外,相较于相关技术中将摄像头模组设置在未开孔的衬底一侧,本公开实施例的显示基板在透光区正对的位置处设置定位孔,还能够减少透光区的膜层数目(也即减少对应区域的衬底材料)。这样,光线能够穿过更少数目、更薄厚度的膜层进入摄像头模组,因此其传播过程中的损耗能够相应减少,其在显示基板中的透过率也就相应提高。从而,本公开实施例的显示基板能够使更多的入射光线到达摄像头模组参与成像,以提高摄像头模组的拍摄效果。并且,定位孔设置于衬底的位于透光区内的部分,可以减小光线从透光区穿过时的损耗,提高光线在透光区中的透过率,从而有效保证摄像头模组,乃至对应显示装置能够获得更加优良的拍摄效果。
在一些实施例中,显示基板还包括形成于衬底上的多个亚像素。亚像素与像素区一一对应。
在一些实施例中,至少一层绝缘层包括缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、钝化层、平坦化层、像素界定层或封装层中的至少一种。
在一些实施例中,显示基板还包括遮光图案。遮光图案在衬底上的正投影位于定位孔外。
在一些实施例中,衬底包括聚酰亚胺衬底、聚碳酸酯衬底、聚丙烯酸酯衬底、聚醚酰亚胺衬底、聚醚砜衬底、聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底或聚萘二甲酸乙二醇酯衬底。
另一方面,提供了一种显示基板的制作方法,应用于制作如上述一些实施例所述的显示基板。该制作方法包括:提供一基板。在基板的一侧表面上形成定位凸起。在定位凸起的周侧形成衬底。衬底与定位凸起相接,且衬底的远离基板的表面与定位凸起的远离基板的表面平齐。在衬底的远离基板的一侧形成至少一层金属图案以及至少一层绝缘层。其中,至少一层金属图案在衬底上的正投影位于定位凸起外。至少一层绝缘层在衬底上的正投影至少覆盖定位凸起。将衬底和定位凸起从基板上剥离。去除定位凸起,在衬底中形成定位孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的