[发明专利]一种IBC晶硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种IBC晶硅太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：

对P型硅片的表面进行制绒处理，所述P型硅片的两面分别为硅片正面和硅片背面；

在所述硅片背面生长隧穿氧化层和多晶硅薄膜；

对所述多晶硅薄膜进行磷掺杂处理；

将所述经过磷掺杂的多晶硅薄膜的部分去除，露出P型硅基底，在所述硅片背面形成顺序排列的多晶硅薄膜区域和P型硅基底区域；

对所述硅片正面和所述硅片背面进行钝化处理；

将所述P型硅基底区域上的钝化层部分去除；

分别在所述P型硅基底区域上和所述多晶硅薄膜上制备电极。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述分别在所述P型硅基底区域上和所述多晶硅薄膜上制备电极，包括步骤：

在所述P型硅基底区域上去掉钝化层的位置印刷铝浆，在所述多晶硅薄膜上钝化层的局部位置印刷银浆，共烧形成欧姆接触电极。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对P型硅片的表面进行制绒处理，包括步骤：

仅在所述硅片正面进行制绒处理。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对P型硅片的表面进行制绒处理，包括步骤：

分别在所述硅片正面和所述硅片背面进行制绒处理。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述硅片背面生长隧穿氧化层和多晶硅薄膜步骤之前，还包括步骤：

分别在所述硅片正面和所述硅片背面制备硼掺杂层；

去除所述硅片背面的硼掺杂层；

在所述将所述经过磷掺杂的多晶硅薄膜的部分去除步骤之后，还包括步骤：

对所述P型硅片进行清洗，并去除所述硅片正面的硼硅玻璃。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述多晶硅薄膜进行磷掺杂处理，包括步骤：

通过磷扩散方法对所述多晶硅薄膜进行磷掺杂处理。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述多晶硅薄膜进行磷掺杂处理，包括步骤：

通过离子注入方法对所述多晶硅薄膜进行磷掺杂处理。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述对所述硅片正面制备和所述硅片背面进行钝化处理步骤之前，还包括步骤：

对所述P型硅片进行高温退火处理。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述钝化层包括氧化铝薄膜、氮化硅薄膜、氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氧化铈薄膜中的部分或全部。

10.一种IBC晶硅太阳能电池，其特征在于，包括：

P型硅片，所述P型硅片的两面分别为硅片正面和硅片背面，所述硅片正面用于朝向太阳光；

在所述硅片正面依次制备有硼扩散层和钝化层；

在所述硅片背面制备有带状分布的N型多晶硅薄膜，从而在所述硅片背面按预设规律排布有N型多晶硅薄膜区域和P型硅基底区域；

在所述N型多晶硅薄膜区域上和所述P型硅基底区域上制备有钝化层；

在所述钝化层上设置有电极，不同的电极分别与所述N型多晶硅薄膜区域、所述P型硅基底区域电连接。