[发明专利]液晶高分子组合物、覆铜基板及其制备方法有效
申请号: | 202010443765.8 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN113698864B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 李冠纬;苏赐祥;向首睿;吴佩蓉;黄炜新 | 申请(专利权)人: | 臻鼎科技股份有限公司 |
主分类号: | C09D177/12 | 分类号: | C09D177/12;C09D167/00;C09K19/38;C09K19/46;B32B33/00;B32B15/20;B32B37/10;B32B15/01 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 许春晓 |
地址: | 中国台湾桃园县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 高分子 组合 覆铜基板 及其 制备 方法 | ||
一种液晶高分子组合物,包括溶剂、溶解于所述溶剂中的可溶型液晶高分子以及分散于所述溶剂中的液晶高分子粉体,所述可溶型液晶高分子和所述液晶高分子粉体组成所述液晶高分子组合物中的固成分,所述可溶型液晶高分子在所述液晶高分子组合物的固成分中的重量百分比为40%~60%,所述液晶高分子粉体在所述液晶高分子组合物的固成分中的重量百分比为40%~60%。本申请还提供一种覆铜基板及其制备方法。
技术领域
本申请涉及印刷电路板技术领域,尤其涉及一种液晶高分子(LCP)组合物以及覆铜基板及其制备方法。
背景技术
印刷线路板中的信号损失大致可以分为两个部分,一种是传导损失,其意味着铜箔引起的损失;另一种是介电损失,其意味着介电层引起的损失。通常信号损失与介电层材料的介电常数Dk及介电损失Df有关。为了减少信号损失,需要选用介电常数和介电损失较低的介电层材料。此外,介电层材料的极性也会影响导电线路中电子传输的稳定性,当介电层材料的极性过大时,电路板极化后导电线路中的电子将会受到介电层吸引,从而影响电子传输的稳定性。
目前,由于液晶高分子具有较低的介电常数和介电损耗,在10GHz下仍能保持较低的介电损耗(Df=0.0002),而且液晶高分子的极性较小,因此被广泛用于电路板的介电层材料。然而,液晶高分子的固成分含量和粘度较低,导致其成膜性和涂布厚度受到限制。
发明内容
为解决现有技术以上不足,有必要提出一种液晶高分子组合物。
另,还有必要提供一种采用上述液晶高分子组合物的覆铜基板及其制备方法。
本申请提供一种液晶高分子组合物,包括溶剂、溶解于所述溶剂中的可溶型液晶高分子以及分散于所述溶剂中的液晶高分子粉体,所述可溶型液晶高分子和所述液晶高分子粉体组成所述液晶高分子组合物中的固成分,所述可溶型液晶高分子在所述液晶高分子组合物的固成分中的重量百分比为40%~60%,所述液晶高分子粉体在所述液晶高分子组合物的固成分中的重量百分比为40%~60%。
在本申请一些实施方式中,所述液晶高分子组合物的固成分含量为10%~20%,所述溶剂在所述液晶高分子组合物中的重量百分比为80%~90%。
在本申请一些实施方式中,所述溶剂包括N-甲基吡咯烷酮。
在本申请一些实施方式中,所述液晶高分子粉体的粒径小于3μm。
本申请还提供一种采用如上的液晶高分子组合物的覆铜基板的制备方法,包括如下步骤:提供一第一铜箔层,并在所述第一铜箔层的一表面涂布所述液晶高分子组合物;以及对所述液晶高分子组合物进行热处理,得到一介电层。
在本申请一些实施方式中,所述制备方法还包括:在所述介电层远离所述第一铜箔层的表面压合一第二铜箔层,所述压合在350℃~370℃的温度下进行。
在本申请一些实施方式中,所述热处理为在氮气气氛下烘烤所述液晶高分子组合物,烘烤温度为350℃~370℃,烘烤时间为30min~60min。
本申请还提供一种覆铜基板,包括第一铜箔层和形成于所述第一铜箔层表面的介电层,所述介电层包括可溶型液晶高分子和液晶高分子粉体,所述可溶型液晶高分子在所述介电层中的重量百分比为40%~60%,所述液晶高分子粉体在所述介电层中的重量百分比为40%~60%,所述可溶型液晶高分子和所述液晶高分子粉末相互交联并形成网络结构。
在本申请一些实施方式中,所述液晶高分子粉体的粒径小于3μm。
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