[发明专利]一种功率器件的制作方法、功率器件和电子设备

权利要求书

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供一待切割金属板，所述待切割金属板设置于承载板上；

在所述待切割金属板上蚀刻出多个间隔设置且设有容置槽的器件区域，在每个所述容置槽设置芯片；其中，所述容置槽裸露所述承载板，所述芯片远离所述承载板的表面包括电连接区域；

在所述器件区域的容置槽填充第一绝缘封装层，所述第一绝缘封装部不覆盖所述芯片的所述电连接区域；

在所述待切割金属板远离所述承载板的第一表面上形成金属层，以将所述芯片的所述电连接区域与所述待切割金属板电连接；

在所述金属层远离所述承载板一侧形成第二绝缘封装层；

将所述待切割金属板与所述承载板分离，并将多个所述器件区域分离，以形成多个所述功率器件。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述待切割金属板上蚀刻出多个间隔设置且设有容置槽的器件区域，在每个所述容置槽设置芯片的步骤，包括：

在所述待切割金属板上分别蚀刻出多个裸露所述承载板的分割槽和多个所述容置槽，并利用所述分割槽将所述待切割金属板划分为多个所述器件区域，每个所述器件区域均具有至少一个所述容置槽；

在每个所述容置槽内设置一个所述芯片；其中，所述芯片具有相对的正面以及背面，所述正面具有凸点，所述正面位于靠近所述承载板一侧，所述凸点的至少部分与所述承载板相贴合，所述背面位于远离所述承载板一侧。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述器件区域的容置槽填充第一绝缘封装层，所述第一绝缘封装部不覆盖所述芯片的所述电连接区域的步骤，包括：

在所述待切割金属板远离所述承载板一侧覆盖第一绝缘封装层，且所述第一绝缘封装层填充所述容置槽和所述分割槽；

将所述待切割金属板的第一表面上的所述第一绝缘封装层去除，以使所述芯片的背面以及所述待切割金属板的所述第一表面裸露。

4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在所述待切割金属板远离所述承载板的第一表面上形成金属层，以将所述芯片的所述电连接区域与所述待切割金属板电连接的步骤，包括：

在所述第一表面上覆盖一层金属层，所述金属层与裸露的所述芯片的背面以及所述待切割金属板电连接，以将所述芯片的所述电连接区域与所述待切割金属板电连接；

将覆盖于所述分割槽上的金属层蚀刻去除，以使相邻的所述器件区域之间的所述金属层不连接。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二绝缘封装层与位于所述分割槽中的所述第一绝缘封装层相连接。

6.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述芯片的背面高于或者低于所述待切割金属板的第一表面；

所述将所述待切割金属板的第一表面上的所述第一绝缘封装层去除，以使所述芯片的背面以及所述待切割金属板的所述第一表面裸露的步骤包括：

将所述待切割金属板的第一表面上的所述第一绝缘封装层去除，并将所述芯片的背面磨掉部分直至所述芯片的背面与所述待切割金属板的第一表面齐平，以使所述芯片的背面以及所述待切割金属板的所述第一表面裸露；或者，

将所述待切割金属板的第一表面上的所述第一绝缘封装层以及所述芯片的背面上的所述第一绝缘封装层溶解，以使所述芯片的背面以及所述待切割金属板的所述第一表面裸露。

7.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述芯片的背面与所述待切割金属板的第一表面齐平。