[发明专利]垂直腔表面发射激光器及其负电极的制作方法

权利要求书

1.一种垂直腔表面发射激光器，包括沿纵向延伸的基板（10）、在所述基板（10）上形成的至少一个台面结构、在每个台面结构的顶部设置有正电极（25），其中每个台面结构均是通过选择性地移除在所述基板（10）上依次生成的衬底（15）、第一镜层（20）、主动区（30）和第二镜层（40）中的至少一部分，且进行侧壁氧化和钝化而形成的，其特征在于，所述垂直腔表面发射激光器还包括：

负电极（24），所述负电极（24）是采用湿法氧化工艺形成在移除后剩余的所述第一镜层（20）内部或者形成在移除后剩余的第一镜层（20）和所述衬底（15）的内部，所述负电极（24）围绕所述台面结构。

2.根据权利要求1所述的垂直腔表面发射激光器，其特征在于，所述负电极（24）的横截面为多边形，且靠近所述基板（10）的一边的长度小于远离所述基板（10）的一边的长度，所述负电极（24）的上表面低于剩余的第一镜层（20）的上表面或者与剩余的第一镜层（20）的上表面在同一水平面上。

3.根据权利要求1或2所述的垂直腔表面发射激光器，其特征在于，所述负电极（24）是通过以下的步骤形成的：

在设置有所述正电极（25）的每个台面结构的顶部、侧部以及在不与台面结构接触的、剩余的第一镜层（20）的上表面上形成光刻胶掩膜（60），并在不与台面结构接触的、剩余的第一镜层（20）的上表面上标定负电极区域（22）；

采用所述湿法氧化工艺沿着所标定的负电极区域（22），对剩余的第一镜层（20）进行刻蚀或者对剩余的第一镜层（20）和所述衬底（15）进行刻蚀，直到靠近所述基板（10）；以及

剥离所述光刻胶掩膜（60），并在刻蚀掉的区域内填充预设深度的金属电极，形成负电极（24）。

4.根据权利要求3所述的垂直腔表面发射激光器，其特征在于，所述衬底（15）为半绝缘材料或者N型材料或者P型材料，所述基板（10）为P型材料或者N型材料。

5.一种垂直腔表面发射激光器的负电极的制作方法，所述制作方法包括：

在沿纵向延伸的基板（10）上依次形成衬底（15）、第一镜层（20）、主动区（30）、和第二镜层（40）；

通过选择性地移除所述第一镜层（20）、所述主动区（30）和所述第二镜层（40）中的至少一部分而形成至少一个台面结构；

在每个所述台面结构的顶部上设置正电极（25），

其特征在于，所述制作方法还包括：

在设置有所述正电极（25）的每个台面结构的顶部、侧部以及在不与台面结构接触的、剩余的第一镜层（20）的上表面上形成光刻胶掩膜（60），并在不与台面结构接触的、剩余的第一镜层（20）的上表面上标定负电极区域（22）；

沿着所标定的负电极区域（22），对剩余的第一镜层（20）进行刻蚀或者对剩余的第一镜层（20）和所述衬底（15）进行刻蚀，直到靠近所述基板（10）；以及

剥离所述光刻胶掩膜（60），并在刻蚀掉的区域内填充预设深度的金属电极，形成负电极（24）。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在每个所述台面结构的顶部上设置正电极（25）之前，所述制作方法还包括：

对每个台面结构上的所述第一镜层（20）、所述主动区（30）和所述第二镜层（40）中的至少一部分进行氧化；

氧化后，在每个所述台面结构的顶部、侧部形成钝化层；

在形成钝化层后的每个所述台面结构的顶部上设置正电极（25）。

7.根据权利要求5或6所述的制作方法，其特征在于，所述沿着所标定的负电极区域（22），对剩余的第一镜层（20）进行刻蚀或者对剩余的第一镜层（20）和所述衬底（15）进行刻蚀，直到靠近所述基板（10），包括：

采用湿法氧化工艺沿着所标定的负电极区域（22），对剩余的第一镜层（20）进行刻蚀或者对剩余的第一镜层（20）和所述衬底（15）进行刻蚀，直到靠近所述基板（10）。