[发明专利]薄膜生长装置及薄膜生长方法

权利要求书

1.一种薄膜生长装置，其中，包括反应腔室和位于反应腔室内部的用于承载晶片的基板支撑件，以及位于反应腔室顶部的背板和位于背板下方的带有气体通道的气体分配喷淋头，还包括：

射频发生器，位于所述背板上方，用于提供射频电流；以及

射频带，连接所述背板和所述射频发生器，用于形成所述射频发生器与所述背板之间的射频通道，将射频电流导入所述反应腔室；

其中，所述射频带为多个，间隔分布在所述背板上方，气体在射频电流的作用下解离为射频等离子体，再扩散至所述晶片上进行薄膜生长。

2.根据权利要求1所述的薄膜生长装置，其中，所述射频带均匀分布在所述背板的上方。

3.根据权利要求1所述的薄膜生长装置，其中，所述气体在通过所述气体通道时被解离，并且通过所述气体通道达到所述晶片表面。

4.根据权利要求1所述的薄膜生长装置，其中，所述射频带的数量为大于或等于3的整数。

5.根据权利要求1所述的薄膜生长装置，其中，所述射频电流经由所述背板进入所述反应腔室。

6.根据权利要求4所述的薄膜生长装置，其中，多个所述射频带中至少一个分布在所述背板上方的中心处。

7.根据权利要求1所述的薄膜生长装置，其中，所述射频发生器发射至多个所述射频带的射频功率按照比例分配。

8.一种薄膜生长方法，其中，包括：

放置待测晶片于基板承载件上；

在反应腔室上方的背板上设置多个射频带；

射频发生器通过多个射频带向反应腔室提供射频电流；

气体来源提供的气体通过气体分配喷淋头上的气体通道进入处理区域，并在射频电流的作用下被解离，均匀扩散至晶片表面；

在晶片表面进行薄膜生长。

9.根据权利要求8所述的薄膜生长方法，其中，所述射频等离子体在通过所述气体通道时被解离，并且通过所述气体通道达到所述晶片表面。

10.根据权利要求8所述的薄膜生长方法，其中，所述射频带的数量为大于或等于3的整数。

11.根据权利要求8所述的薄膜生长方法，其中，所述射频发生器发射至多个所述射频带的射频功率按照比例分配。