[发明专利]一种磁光晶体、磁光器件及制备方法

权利要求书

1.一种磁光晶体，所述磁光晶体的化学式为KTb_{(3-x-y-z-r-w)}Y_xGd_yHo_zCe_rPr_wF₁₀；

其中，0.01≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.3，0≤r≤0.15，0≤w≤0.15。

2.权利要求1所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

根据所述磁光晶体的化学式，提供用于制备所述磁光晶体的原料，并将所述原料置于坩埚中，其中，所述原料包括：KF、TbF₃、YF₃以及可选的GdF₃、HoF₃、CeF₃、PrF₃；

将所述坩埚置于具有主室和副室的提拉单晶炉的所述主室内，在所述主室内利用第一籽晶进行第一次晶体生长，直至所述坩埚内部熔体表面的漂浮物全部粘附至生长的晶体表面；

取出粘附有所述漂浮物的晶体，更换第二籽晶，然后在所述主室内利用所述第二籽晶进行第二次晶体生长，得到所述磁光晶体；

其中，在进行所述第一次晶体生长和所述第二次晶体生长时，所述提拉单晶炉内充入有惰性气体和CF₄气体的混合气。

3.根据权利要求2所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，在进行所述第一次晶体生长和所述第二次晶体生长时，所述提拉单晶炉的加热方式为感应加热。

4.根据权利要求2所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，所述惰性气体与所述CF₄气体的摩尔比为4:1-10:1。

5.根据权利要求4所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气和/或氮气。

6.根据权利要求2所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，在进行所述第一次晶体生长时，以0.5mm/h-3.0mm/h的拉速进行提拉，同时以1℃/h-10℃/h的降温速率进行降温。

7.根据权利要求2所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，在进行所述第二次晶体生长之前，使所述第二籽晶进入所述熔体内部设定深度处；

在设定转速以及设定加热功率下，使所述第二籽晶在所述熔体内以等径状态恒温浸泡至少1小时。

8.根据权利要求7所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，在完成所述恒温浸泡之后，进行所述第二次晶体生长时，以0.3mm/h-2.0mm/h的拉速进行提拉，同时以5℃/h-20℃/h的降温速率进行降温。

9.根据权利要求2-8任一项所述的磁光晶体的制备方法，其特征在于，所述籽晶为氟化铽钾籽晶、氟化钇钾籽晶或者利用权利要求1所述的磁光晶体制备得到的籽晶。

10.一种磁光器件，其特征在于，所述磁光器件包括权利要求1所述的磁光晶体。