[发明专利]鳍体制造方法、鳍式场效应晶体管及一鳍体结构有效
| 申请号： | 202010446428.4 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111599684B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 邱岩栈;陈颖儒;刘立尧;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体制 方法 场效应 晶体管 一鳍体 结构 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，其特征在于，包括：
S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成第一氧化层、硬掩膜层和第二氧化层，对第二氧化层进行光刻刻蚀定义出鳍式场效应晶体管的鳍体的形成区域，所述鳍式场效应晶体管的鳍体的形成区域由多个第二氧化层条形排列而成；
S2：对所述硬掩膜层进行刻蚀,并继续对半导体衬底进行刻蚀,对半导体衬底的刻蚀深度在2nm至8nm之间，并去除多个第二氧化层条形；
S3：形成一层第三氧化层，所述第三氧化层覆盖裸露的半导体衬底的上表面和侧面、硬掩膜层的顶部以及第一氧化层和硬掩膜层形成的条形结构的侧面；
S4：进行回蚀工艺，去除覆盖裸露的半导体衬底的上表面和硬掩膜层的顶部的所述第三氧化层；
S5：对半导体衬底进行回蚀工艺，形成鳍体的第一部分，鳍体的第一部分的靠近第一氧化层侧的宽度大于鳍体的第一部分的远离第一氧化层侧的宽度，且鳍体的第一部分的高度在30nm至50nm之间；
S6：去除剩余的所述第三氧化层；以及
S7：对半导体衬底进行刻蚀工艺，形成鳍体的第二部分，鳍体的第二部分的靠近鳍体的第一部分侧的宽度小于鳍体的第二部分的远离鳍体的第一部分侧的宽度，使鳍体的第一部分和鳍体的第二部分共同构成鳍式场效应晶体管的鳍体。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，其特征在于，所述第一氧化层与所述第三氧化层的材质相同。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，其特征在于，以干刻腔在腔内、原子层沉积或现场水汽生成形成所述第三氧化层。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，其特征在于，步骤S4中的回蚀工艺为干刻工艺。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，其特征在于，步骤S5中的回蚀工艺为干刻工艺或碱性溶剂的湿法工艺。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法，其特征在于，步骤S7中的所述对半导体衬底的刻蚀工艺为干刻工艺。
7.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的鳍体制造方法制造的鳍体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
