[发明专利]场效应晶体管源漏电阻的提取方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、测试得到场效应晶体管线性区的漏极电流和栅压的绝对值形成的第一电学特性曲线，从所述第一电学特性曲线上提取线性区阈值电压；

所述线性区阈值电压的提取方法采用跨导最大法，包括步骤：

在所述第一电学特性曲线上跨导最大处做切线，将切线的反向延长线与横轴相交并将相交位置处的栅压再减去1/2倍的漏极电压作为所述线性区阈值电压；步骤二、在所述第一电学特性曲线上的高栅压区选取多个采样点，所述高栅压区位于所述栅压绝对值大于所述线性区阈值电压的绝对值的区域；计算各所述采样点对应的所述栅压与线性区阈值电压的差值绝对值的倒数并作为第一参数；

步骤三、计算各所述采样点的漏极电压和漏极电流的比值并作为总电阻，所述总电阻为所述场效应晶体管的源电阻、沟道电阻和漏电阻的串联电阻，源漏电阻为所述源电阻和所述漏电阻的和；

步骤四、根据各所述采样点的第一参数和总电阻形成第二关系曲线，所述第二关系曲线的纵轴为总电阻以及横轴为第一参数的绝对值；

步骤五、将所述第二关系曲线外延并与纵轴相交，将相交位置处的所述总电阻作为所述源漏电阻。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：步骤一的测试中，所述场效应晶体管的漏极电压的绝对值大于0V小于0.1V；

所述场效应晶体管的栅压的绝对值从0V开始增加，所述栅压的绝对值的增加步长为1mV～10mV；

所述场效应晶体管的源极接0V。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：所述栅压的绝对值的最大值大于等于1.8V。

4.如权利要求2所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：步骤二中，所述高栅压区选为靠近所述栅压的绝对值的最大值的区域段。

5.如权利要求4所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：步骤二中，所述高栅压区选为所述栅压的绝对值为1V到所述栅压的绝对值的最大值的区域段。

6.如权利要求2所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：所述场效应晶体管为PMOS，所述漏极电压为负值，所述栅压为负值。

7.如权利要求2所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：所述场效应晶体管为NMOS，所述漏极电压为正值，所述栅压为正值。

8.如权利要求1所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：所述场效应晶体管的技术节点包括40nm以下。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：所述场效应晶体管包括源区、漏区、沟道区和栅极结构，所述源区和所述漏区形成在所述栅极结构两侧的半导体衬底中，所述沟道区为位于所述源区和所述漏区之间且被所述栅极结构所覆盖的区域；

所述源区通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的源极；

所述漏区通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的漏极；

所述栅极结构通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的栅极；

所述源电阻为所述源区到所述源极之间形成的寄生电阻；

所述沟道电阻为所述沟道区形成的寄生电阻；

所述漏电阻为所述漏区到所述漏极之间形成的寄生电阻；

所述源电阻和所述漏电阻保持不变；

在线性区，所述沟道区电阻随着所述第一参数的降低而降低。

10.如权利要求9所述的场效应晶体管源漏电阻的提取方法，其特征在于：在所述半导体衬底中形成有第二导电类型阱，所述沟道区形成于所述第二导电类型阱中，所述源区形成于所述第二导电类型阱的表面；所述源区和所述漏区都为第一导电类型重掺杂；

在所述第二导电类型阱的表面还形成有由第二导电类型重掺杂区组成的体引出区，所述体引出区也通过顶部对应的接触孔连接到所述源极。