[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，包括惯性器件层和盖体，所述结构层惯性器件层设置有惯性传感器结构；所述盖体与所述惯性器件层相连接；所述盖体设置有压阻式压力传感器结构。

2.如权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述盖体包括依次层叠设置的第一衬底层、结构层和连接层；所述结构层设置有压力感应薄膜；所述连接层与所述惯性器件层相连接；所述第一衬底层设置有将所述压力感应薄膜与外界连通的开口。

3.如权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述压力感应薄膜上设置有压敏电阻区。

4.如权利要求3所述的MEMS器件，其特征在于，所述盖体还包括导电层，所述导电层分别与所述连接层和所述压力感应薄膜相连接，并且所述导电层与所述压敏电阻区的引出端电性连接。

5.如权利要求4所述的MEMS器件，其特征在于，所述连接层上设置有金属布线层，所述连接层还设置有连通至所述导电层的引线孔，所述金属布线层覆盖所述引线孔，从而与所述导电层电性连接。

6.如权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述金属布线层还限定了键合位置，所述惯性器件层设置有与所述键合位置相配合的键合金属，所述惯性器件层与所述盖体通过共晶键合相连接。

7.如权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，还包括第二衬底层，所述第二衬底层与所述惯性器件层相连接，所述第二衬底层、所述惯性器件层和所述盖体依次层叠设置。

8.如权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述第二衬底层、所述压力感应薄膜、所述导电层和所述连接层限定了所述惯性传感器结构所处的空腔。

9.如权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述开口设置于正对所述压力感应薄膜的位置，或设置于偏离所述压力传感薄膜的位置。

10.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底片；

在所述衬底片上形成多孔硅层；

沉积结构层，并使所述多孔硅层形成空腔；

在所述结构层形成压敏电阻区和压力感应薄膜；

沉积导电层，图案化所述导电层，形成引出层，以作为所述压力感应薄膜的支撑层和电性引出结构；

沉积连接层，在所述连接层形成连通至所述引出层的引线孔；

沉积金属并图案化，形成器件的金属布线及键合金属；

刻蚀所述连接层，使所述压力感应薄膜露出，以及形成凹槽；

通过所述连接层上的键合金属，与制备有惯性传感器结构的器件片共晶键合，所述凹槽和所述压力感应薄膜均用于限定所述惯性传感器结构所处的空腔；

刻蚀所述衬底片，形成将所述压力感应薄膜与外界连通的开口。