[发明专利]空间推进系统及其推进方法在审

专利信息
申请号: 202010447370.5 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111577563A 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 郭登帅;张锐;严玲玲;余勇;黄志伟;李敏;谢祥华 申请(专利权)人: 中国科学院微小卫星创新研究院;上海微小卫星工程中心
主分类号: F03H1/00 分类号: F03H1/00
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 李镝的
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 空间 推进 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种空间推进系统,其特征在于,所述空间推进系统作为超低轨道卫星或拥有大气层的行星探测器的推进系统,所述空间推进系统包括吸气装置、供气管路及纳米线阵列离子推力器,其中:

所述吸气装置收集轨道中的气体作为推进剂;

气体由所述供气管路提供至所述纳米线阵列离子推力器,被所述纳米线阵列离子推力器的强电场电离,并被所述强电场加速喷出产生推力;

所述纳米线阵列离子推力器的材料为氧化物。

2.如权利要求1所述的空间推进系统,其特征在于,所述纳米线阵列离子推力器包括从上而下依次配合连接的栅极挡圈、栅极、绝缘支撑体、纳米线阵列组件和底座,其中:

所述栅极挡圈为绝缘材料构成的环状零件;

所述绝缘支撑体为环形结构,用于所述栅极和所述纳米线阵列组件之间的电绝缘;

所述纳米线阵列组件放置于所述底座上,所述绝缘支撑体将所述纳米线阵列组件箍紧,所述栅极放置于所述绝缘支撑体的上边沿,所述栅极挡圈固定于所述栅极的边缘,所述栅极卡在所述栅极挡圈中并被所述栅极挡圈压紧。

3.如权利要求2所述的空间推进系统,其特征在于,所述纳米线阵列组件为基底、纳米线阵列和流道构成的一体化构型;

所述基底为材料为硅、陶瓷或不锈钢的圆形薄片;

所述基底底面与所述栅极及所述底座平行;

所述纳米线阵列从所述基底上生长而成,包括但不限于氧化锌纳米线、氧化钨纳米线、氧化铜纳米线或二氧化钛纳米线;

所述流道为贯穿所述基底高度方向的均匀分布的孔;

所述流道的孔直径为10微米~100微米。

4.如权利要求3所述的空间推进系统,其特征在于,所述栅极的材料为钨、钼或碳,所述栅极的形状为圆形薄片结构,所述栅极上分布有贯穿所述栅极高度方向的栅极孔,所述栅极孔作为离子加速喷出的通道,所述栅极孔的孔直径为1毫米~5毫米;

所述纳米线阵列的尖端与所述栅极间的距离为50微米~500微米。

5.如权利要求4所述的空间推进系统,其特征在于,所述底座由绝缘材料形成一中间凹陷的圆柱形结构,且所述底座边缘形成第一凸台及第二凸台,所述第一凸台的高度低于所述第二凸台的高度,所述纳米线阵列组件放置于所述第一凸台上,所述第二凸台包围所述纳米线阵列组件的外侧壁;

所述纳米线阵列组件下表面与所述底座底面之间的距离为5毫米~10毫米;

所述底座底面上具有若干均匀分布且贯穿所述底座高度方向的供气孔,所述供气孔与所述供气管路连接;所述供气孔的孔直径为0.5毫米~2毫米。

6.如权利要求5所述的空间推进系统,其特征在于,所述纳米线阵列被施加正电压,所述栅极接地;

气体由所述供气管路依次经所述供气孔、所述纳米线阵列组件和所述底座之间的空隙、流道,并最终流经纳米线阵列的尖端附近,被纳米线阵列尖端处的强电场电离,并被所述强电场加速喷出产生推力。

7.一种空间推进系统的推进方法,其特征在于,所述空间推进系统的推进方法包括:

空间推进系统携带原推进剂,所述空间推进系统将原推进剂电离产生推力进行超低轨道卫星或行星探测器的轨道维持或转移;

所述空间推进系统的吸气装置收集轨道中的气体作为新推进剂;

气体由供气管路提供至纳米线阵列离子推力器,被所述纳米线阵列离子推力器的强电场电离,并被所述强电场加速喷出产生推力;

所述纳米线阵列离子推力器的材料为氧化物。

8.如权利要求7所述的空间推进系统的推进方法,其特征在于,所述纳米线阵列离子推力器的羽流电中性中和模式包括:

两台推力器的互中和模式,当处于所述两台推力器的互中和模式时,第一纳米线阵列离子推力器发射阳离子,第二纳米线阵列离子推力器发射电子,以使羽流整体呈电中性;

一台推力器的自中和模式,当处于所述一台推力器的自中和模式时,纳米线阵列离子推力器周期性地发射阳离子或电子,以保持羽流的整体电中性。

9.如权利要求8所述的空间推进系统的推进方法,其特征在于,所述纳米线阵列离子推力器的羽流电中性中和模式包括:

当为纳米线阵列离子推力器供气的电磁阀处于打开状态时,所述纳米线阵列施加正电压,栅极接地,所述纳米线阵列离子推力器发射阳离子;

当为纳米线阵列离子推力器供气的电磁阀处于关闭状态时,所述纳米线阵列施加负电压、栅极接地,所述纳米线阵列离子推力器发射电子。

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