[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板。本发明提供的阵列基板，包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极和金属氧化物图形，源极和金属氧化物图形同层设置，且金属氧化物图形和源极之间具有相互重叠的部分，栅绝缘层在阵列基板的层叠方向上设于栅极和源极之间；其中，金属氧化物图形包括位于中间区域的第一部分和位于第一部分两侧的第二部分，源极和第二部分接触，第一部分半导体化形成有源层，第二部分作为像素电极。本发明提供的阵列基板中薄膜晶体管的性能较好，且阵列基板的生产工艺较为简单，生产成本较低。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、笔记本电脑等各种消费性电子产品中，成为显示装置中的主流。

液晶显示面板通常由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层组成，通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而将背光模组的光线折射出来产生画面。其中，阵列基板通常包括玻璃基板及设置在玻璃基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、半导体层以及像素电极；源极、漏极和半导体层通常位于同一层内，且源极和漏极位于半导体层两侧，源极和漏极通过半导体层连接，三者形成有源岛图形；栅极与有源岛图形设置在不同层，且栅极所在层与有源岛图形所在层之间通过栅绝缘层间隔开；像素电极可以与有源岛图形同层或不同层设置，且像素电极与漏极相连接。

但是，现有技术中的阵列基板，源极中的金属离子会扩散至半导体层，会对半导体层产生影响，进而影响薄膜晶体管的特性。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板中薄膜晶体管的性能较好，且阵列基板的生产工艺较为简单，生产成本较低。

第一方面，本发明提供一种阵列基板，该阵列基板包括基板和设置在基板上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极和金属氧化物图形，源极和金属氧化物图形同层设置，且金属氧化物图形和源极之间具有相互重叠的部分，栅绝缘层在阵列基板的层叠方向上设于栅极和源极之间；其中，金属氧化物图形包括位于中间区域与栅极相对的第一部分和位于第一部分两侧的第二部分，第一部分半导体化形成有源层，源极和靠近源极的第二部分之间具有相互重叠的部分，远离源极的第二部分作为像素电极。

在一种可能的实施方式中，栅极设置在基板上，栅绝缘层覆盖基板和栅极，源极和金属氧化物图形设置在栅绝缘层上。

在一种可能的实施方式中，还包括钝化层，钝化层设在栅绝缘层上，钝化层覆盖源极和金属氧化物图形；其中，钝化层包括依次层叠在栅绝缘层上的第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层为氧化硅层，第二钝化层为氮化硅层。

在一种可能的实施方式中，源极和金属氧化物图形设置在基板上，栅绝缘层覆盖基板及源极和金属氧化物图形，栅极设置在栅绝缘层上。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括绝缘衬底层，绝缘衬底层设在基板和栅绝缘层之间，源极和金属氧化物图形设在绝缘衬底层上；其中，绝缘衬底层包括依次层叠在基板上的第一绝缘衬底层和第二绝缘衬底层，第一绝缘衬底层为氮化硅层，第二绝缘衬底层为氧化硅层。

在一种可能的实施方式中，阵列基板还包括漏极，金属氧化物图形中远离源极的第二部分包括第一段和第二段，第一段与第一部分连接，第二段与第一段之间具有间隔，漏极连接在第一段和第二段之间，第二段作为像素电极。

第二方面，本发明提供一种阵列基板的制作方法，该制作方法包括如下步骤：

在基板上形成栅极；

在基板上形成栅绝缘层，栅绝缘层覆盖栅极；