[发明专利]一种高速存储电路DDR2测试装置有效

专利信息
申请号: 202010448450.2 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111583989B 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 马卫东;杜秋平;王帅;何建斌;陈惠玲 申请(专利权)人: 成都思科瑞微电子股份有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;H05K7/20
代理公司: 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 代理人: 成实;饶振浪
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 高速 存储 电路 ddr2 测试 装置
【权利要求书】:

1.一种高速存储电路DDR2测试装置,包括检测PC(1)和电源变压器(2),其特征在于:所述检测PC(1)连接端还设有检测盒(3),所述检测PC(1)、电源变压器(2)和检测盒(3)之间均通过数据线连接;

所述检测盒(3)包括安装基座(31)和主体壳(32),所述安装基座(31)顶端中部固定设有安装台(33),所述安装台(33)顶端设有DDR2内存条(34),所述DDR2内存条(34)与安装台(33)之间设有定位架(35);

所述安装基座(31)包括第一基板(311)和第二基板(312),所述第二基板(312)一侧外壁设有刻度纹(313),所述第一基板(311)顶部两侧均开设有移动槽(314),所述移动槽(314)内部设有第一调节弹簧(315),所述第二基板(312)底部与移动槽(314)位置对应处固定设有定位柱(316),所述第一调节弹簧(315)一端与移动槽(314)内壁固定连接,所述第一调节弹簧(315)另一端与定位柱(316)固定连接;

所述主体壳(32)包括壳体(321),所述壳体(321)一侧固定设有电子温度计(322)和散热扇(323),所述壳体(321)与散热扇(323)对应位置开设有散热口;

所述安装台(33)包括主体台(331),所述主体台(331)顶部开设有安装槽(332),所述安装槽(332)两侧内壁均固定设有导电触片(333),所述安装槽(332)一侧开设有第一调节槽(334),所述第一调节槽(334)内壁固定设有第二调节弹簧(335),所述第一调节槽(334)顶部和底部均开设有多条限位通槽(336),所述限位通槽(336)底部设有转向槽(337),所述转向槽(337)一端开设有第二调节槽(338),所述第二调节槽(338)底端内壁固定设有定位磁条(339),所述第一调节槽(334)、第二调节弹簧(335)、限位通槽(336)、转向槽(337)和第二调节槽(338)相互连通;

所述定位架(35)包括第一主体杆(351)、第二主体杆(352)、第三主体杆(353)和定位杆(354),所述第一主体杆(351)与第二主体杆(352)之间均匀固定设有多个第一连接杆(355),所述第二主体杆(352)与第三主体杆(353)之间均匀固定设有多个第二连接杆(356),所述第三主体杆(353)与定位杆(354)之间均匀固定设有多个第三连接杆(357),所述定位杆(354)设置为不锈钢杆;所述定位架(35)截面形状设置为“L”字型,所述第一主体杆(351)、第二主体杆(352)、第三主体杆(353)、第一连接杆(355)、第二连接杆(356)和第三连接杆(357)均由黄铜材料制成,所述第一主体杆(351)、第二主体杆(352)和定位杆(354)长度和外径均相等且小于第三主体杆(353)长度。

2.根据权利要求1所述的一种高速存储电路DDR2测试装置,其特征在于:所述第一基板(311)与第二基板(312)长宽均相等,所述定位柱(316)长度小于移动槽(314)深度,所述移动槽(314)内径大于定位柱(316)外径。

3.根据权利要求1所述的一种高速存储电路DDR2测试装置,其特征在于:所述第二基板(312)两侧均开设有通槽(317),所述第一基板(311)与通槽(317)对应处开设有固定孔,所述第二基板(312)一端开设有手持槽(318),所述手持槽(318)和通槽(317)均纵向贯穿第二基板(312)。

4.根据权利要求1所述的一种高速存储电路DDR2测试装置,其特征在于:所述壳体(321)与第二基板(312)之间通过搭扣方式固定,所述壳体(321)两端均开设有排线孔。

5.根据权利要求1所述的一种高速存储电路DDR2测试装置,其特征在于:所述DDR2内存条(34)包括PCB板(341)和多个针脚(342),多个所述针脚(342)均与PCB板(341)固定连接,所述针脚(342)与导电触片(333)位置对应,所述PCB板(341)与安装槽(332)插接。

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