[发明专利]一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010448726.7 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111663183B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 文伟;姚金呈;海舰航;吴进明 申请(专利权)人: 海南大学
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B29/16;C30B7/10;C30B29/62;C30B19/00;B01J21/06;B01D53/86;B01D53/44;B82Y40/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 万尾甜;韩介梅
地址: 570208 *** 国省代码: 海南;46
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 应变 准单晶二 氧化 三维 阵列 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。首先,通过水热法制备单晶钛酸钠纳米线阵列;然后,在单晶钛酸钠纳米线阵列表面沉积介晶TiO2;最后,进行质子交换和热处理,将单晶钛酸钠转变为单晶TiO2,得到最终的含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列。该方法利用介晶TiO2在单晶钛酸钠纳米线表面的外延生长,结合晶格常数差异,在TiO2中引入张应变;随后再将单晶钛酸钠纳米线转变为单晶TiO2纳米线,得到单相的锐钛矿TiO2,且整体具有准单晶结构。与现有的制备TiO2阵列的技术相比,本发明公开的方法制备的TiO2具有三维分级结构、准单晶结构、单轴张应变的独特特征,可作为高性能的光催化剂,用于气相污染物处理等领域。

技术领域

本发明涉及一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法,有望应用于光催化环境净化等领域。

背景技术

TiO2纳米材料在光催化、太阳能电池、锂离子电池、钠离子电池、气体传感器等领域均具有潜在的应用前景。TiO2的性能取决于其成分、相结构、微结构和应变状态。准单晶结构具有优异的电荷传输性能;三维阵列具有较高的比表面积和丰富的传质通道;在材料中引入适当的应变,可改变材料的电子结构,进而调控其性能。因此,制备具有上述三种重要特征的TiO2材料具有重要的意义,可作为高性能功能材料获得广泛应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列及其制备方法。

本发明的技术方案如下:

一种含微应变的准单晶二氧化钛三维阵列的制备方法,其步骤包括:

1)将钛片在浓度为1.25mol/L的NaOH水溶液中于220℃进行水热反应20h,得到单晶钛酸钠纳米线阵列。

2)将钛酸钠纳米线阵列放入浓度为0.04mol/L、pH值为2的TiF4酸性水溶液中,于60℃反应3h,得到钛酸钠纳米线阵列/TiO2介晶分支阵列。

3)将钛酸钠纳米线阵列/TiO2介晶分支阵列在浓度为0.1mol/L的盐酸水溶液中浸泡2h进行质子交换,然后在450℃热处理1h,得到含应变的准单晶TiO2三维阵列。

本发明利用介晶TiO2在单晶钛酸钠纳米线表面的外延生长,结合晶格常数差异,在TiO2中引入张应变;随后再将单晶钛酸钠纳米线转变为单晶TiO2纳米线,得到单相的锐钛矿TiO2,且整体具有准单晶结构。本发明公开的方法制备的TiO2同时具有三维分级结构、准单晶结构、单轴张应变,可作为高性能的光催化剂,用于气相污染物降解。

附图说明

图1为实施例1制备的二氧化钛三维阵列的扫描电子显微镜照片;

图2为实施例1制备的二氧化钛三维阵列的X射线衍射图谱;

图3为实施例1制备的二氧化钛三维阵列的X射线衍射图谱的部分峰位与无应变TiO2材料的对比;

图4为实施例1制备的二氧化钛三维阵列的透射电子显微镜照片;

图5为实施例1制备的二氧化钛三维阵列的电子衍射花样;

图6为实施例1制备的二氧化钛三维阵列在紫外光照射下降解甲苯的性能。

具体实施方式

以下结合实施例进一步阐述本发明,但本发明不仅仅局限于下述实施例。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海南大学,未经海南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010448726.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top