[发明专利]一种用于铅离子检测的CHA-SERS生物传感器及其制备方法和应用有效
申请号: | 202010450097.1 | 申请日: | 2020-05-25 |
公开(公告)号: | CN111534571B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 吴燕;陈锦杨;付翠翠;石文兵 | 申请(专利权)人: | 长江师范学院 |
主分类号: | C12Q1/682 | 分类号: | C12Q1/682;C12Q1/6825;G01N21/65 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 李媛 |
地址: | 408100 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 离子 检测 cha sers 生物 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种用于铅离子检测的CHA-SERS生物传感器,其特征在于,所述生物传感器包括SERS活性基底、CHA系统和双链DNAzyme,所述CHA系统包括探针H1和探针H2,所述SERS活性基底为银纳米颗粒修饰的单晶硅片AgNPs@Si,且通过Ag-S键连接有探针H1得到H1-AgNPs@Si基底;所述双链DNAzyme能特异性的识别Pb2+,并激发自身的自剪切活性,释放出引发链;所述探针H2和探针H1是具茎环结构的发夹DNA探针,所述探针H1的粘性末端和茎端区域序列与所述引发链特异性杂交将探针H1发卡结构打开,释放出可以打开探针H2发夹结构的序列,从而与探针H2互补序列杂交,并且探针H1和探针H2的杂交能量高于探针H1与引发链的杂交能量,所述探针H2的一端用拉曼信号分子R6G标记;
所述探针H2的核苷酸序列如SEQ ID NO.2 所示;
所述探针H1的核苷酸序列如SEQ ID NO.1 所示。
2.一种如权利要求1所述用于铅离子检测的CHA-SERS生物传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)获得银纳米颗粒修饰的单晶硅片AgNPs@Si的SERS活性基底;
2)将底物链与酶链混合均匀,加热至95℃退火并保持5 min后逐渐冷却至室温,形成Pb2+-特异性识别的DNAzyme溶液;
3)将SH-标记的探针H1与三(2-羧乙基)膦盐酸盐的Tris缓冲溶液充分混合,随后95℃退火并保温5~10min后逐渐冷却至室温,得到发卡结构的探针H1溶液,然后将步骤1)制备的AgNPs@Si SERS活性基底浸泡于发卡结构的探针H1溶液中反应,再浸泡于含NaCl的磷酸缓冲液中,反应结束后用PBS缓冲液冲洗,并经氮气吹干,得到H1-AgNPs@Si基底;
4)将探针H2溶液加热至95℃退火并保持5~10min后逐渐冷却至室温,形成发卡结构的探针H2溶液,即得到所述CHA-SERS生物传感器。
3.根据权利要求2所述用于铅离子检测的CHA-SERS生物传感器的制备方法,其特征在于,所述底物链和酶链的浓度均为2.0 μM;所述探针H1的浓度为0.5~2.0 μM。
4.根据权利要求2所述用于铅离子检测的CHA-SERS生物传感器的制备方法,其特征在于,所述AgNPs@Si的SERS活性基底是通过以下步骤制得:将表面洁净的单晶硅片置于HF溶液中浸泡使其表面形成Si-H键,然后再将单晶硅片浸泡于包含HF的AgNO3溶液中,并不断摇晃反应均匀,使银纳米颗粒AgNPs通过还原反应沉积于Si表面,即得到AgNPs@Si SERS基底。
5.根据权利要求4所述用于铅离子检测的CHA-SERS生物传感器的制备方法,其特征在于,所述单晶硅片浸泡置于5~10 % HF溶液中,反应时间为5~30 min;单晶硅片浸泡于包含10~20 % HF的AgNO3溶液中,反应时间为1~5 min。
6.如权利要求1所述生物传感器在检测铅离子方面的应用。
7.根据权利要求6所述应用,其特征在于,所述铅离子的检测方法包括以下步骤:
S1:分别将一系列不同浓度的铅离子溶液加入双链DNAzyme溶液中孵育反应,得到酶切产物,再将所述酶切产物滴加到CHA-SERS生物传感器的H1-AgNPs@Si基底上进行反应,反应完成后用PBS缓冲液冲洗,并经氮气吹干,然后将发卡结构的H2探针溶液滴加至基底反应,用PBS缓冲液冲洗,并经氮气吹干;
S2:对步骤S1反应后的基底进行拉曼散射检测,测得各体系对应的SERS光谱,构建SERS光谱强度和铅离子溶液的浓度的线性关系,进而实现对待测样品中铅离子的定量检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江师范学院,未经长江师范学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010450097.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。