[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

说明书

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口，该出气口与抽气单元连接；第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于在该抽气单元抽气时，对抽气气流中携带的副产物进行吸附，以减少副产物在抽气单元上的沉积，如果将过滤板装设于与反应腔室连接的管道上或其他部位，使得维护效率较低，进而在该反应腔室的出气口设置该第一吸附过滤单元，不需要额外维护管道或者其他部位，进而提高了维护效率，同时也有效降低副产物的输出，使得反应腔室出气口连接的抽气单元上沉积的副产物量也减少，避免对抽气单元的损坏，延长抽气单元的寿命。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室及半导体加工设备。

背景技术

半导体加工工艺过程中，有些是常压工艺，还有些工艺需要在真空腔室内进行，比如，等离子刻蚀工艺，或者物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)中的磁控溅射工艺等。通过提供真空环境，以确保工艺的稳定进行。

在反应腔室内执行这些半导体工艺时，会产生副产物(By-product)，由于该反应腔室底端连接泵，以对反应腔内的气体进行抽取，如果不对这些副产物进行有效过滤，则这些副产物会对泵造成损伤，影响泵的寿命，同时也会诱导该反应腔室内沉积副产物。

因此，如何有效避免工艺过程中产生的副产物对泵的损伤是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种反应腔室及半导体加工设备。

第一方面，本发明实施例提供一种反应腔室，包括：

出气口，所述出气口与抽气单元连接；

第一吸附过滤单元，设置于所述出气口处，用于在抽气单元抽气时，对抽气气流中携带的副产物进行吸附，以减少所述副产物在抽气单元上的沉积。

进一步地，所述第一吸附过滤单元，包括：

网格板，所述网格板包括：位于所述网格板上的一个以上的通气孔；

冷却水管道，弯曲排布于所述网格板上除所述通气孔之外的其它区域。

进一步地，所述冷却水管道，包括：

冷却水注入口和冷却水排放口，用于替换新的冷却水。

进一步地，所述通气孔的形状具体为如下任意一种：

圆形、方形、矩形和菱形。

进一步地，所述出气口与所述抽气单元的连接处设置有阀门。

进一步地，还包括：

静电卡盘，位于所述反应腔室内部，用于支撑晶圆，所述第一吸附过滤单元位于所述静电卡盘与所述抽气单元之间。

第二方面，本发明还提供了一种半导体加工设备，包括：

抽气单元、清洁单元以及如权利要求1-6中任一所述的反应腔室；

所述反应腔室的出气口通过第一管道与所述抽气单元连接；

所述抽气单元与所述清洁单元通过第二管道连接。

进一步地，所述第二管道上设置有第二吸附过滤单元。

进一步地，所述抽气单元具体为如下任意一种：

旋片机械泵、吸附泵、扩散泵、钛升华泵、溅射离子泵和涡轮分子泵。

进一步地，所述出气口与所述第一管道之间设置有阀门，用于实现所述反应腔室与该第一管道之间的导通和关闭。