[发明专利]封装薄膜水汽透过率的测试方法有效

专利信息
申请号: 202010450144.2 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN111458277B 公开(公告)日: 2021-02-12
发明(设计)人: 段羽;李泽;王振宇;王浩然;赵文卓;陈平 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: G01N15/08 分类号: G01N15/08
代理公司: 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 代理人: 高一明;郭婷
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 封装 薄膜 水汽 透过 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种封装薄膜水汽透过率的测试方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1、寻找钙薄膜上的缺陷点;

S2、根据缺陷点的位置将所述钙薄膜划分为无缺陷区域和有缺陷区域,并根据所述钙薄膜的尺寸确定所述无缺陷区域的电阻表达式与所述有缺陷区域去掉缺陷点的电阻表达式,联立获得所述钙薄膜的总电阻表达式;

S3、测量所述钙薄膜在两个时刻的真实电阻值,并通过所述钙薄膜的总电阻表达式计算得到所述钙薄膜在所述两个时刻的实时厚度;

S4、通过水汽透过率的公式计算得到全部缺陷点消除后的WVTR数值:

其中,n为常数2,M(H2O)为水的摩尔质量,M(Ca)为钙的摩尔质量,δCa为Ca的密度,c1为所述钙薄膜在t1时刻的实际厚度,c2为所述钙薄膜在t2时刻的实际厚度。

2.根据权利要求1所述的封装薄膜水汽透过率的测试方法,其特征在于,当所述钙薄膜只具有一个缺陷点时,将所述钙薄膜的整体区域划分为第一区域、第二区域、第三区域,所述第一区域与所述第三区域为无缺陷区域,所述第二区域为有缺陷区域,设定所述缺陷点为圆柱形结构,则所述无缺陷区域的电阻表达式为:

其中,R为无缺陷区域的电阻,ρ为所述钙薄膜的密度,L为所述钙薄膜的长度,a为所述钙薄膜的宽度,c为所述钙薄膜的实际厚度;

由式(2)可得,所述第一区域的电阻与所述第三区域的电阻之和为:

其中,R1为所述第一区域的电阻,R3为所述第三区域的电阻,r为所述缺陷点的半径。

3.根据权利要求2所述的封装薄膜水汽透过率的测试方法,其特征在于,将所述第二区域内缺陷点的区域划分为无数个长方体,以所述缺陷点的圆心为原点,设所求长方体与所述缺陷点的交点坐标为(x,y),其中x=rcosθ,y=rsinθ,则每一个长方体的长度为dx,宽度为a-2rsinθ,厚度为c,则所述第二区域去掉缺陷点的电阻表达式为:

其中,R2为所述第二区域去掉缺陷点的电阻,θ为所述坐标点(x,y)和圆心之间的连线与垂直于所述钙薄膜宽度的直径所成的夹角。

4.根据权利要求3所述的封装薄膜水汽透过率的测试方法,其特征在于,所述钙薄膜的总电阻表达式为:

其中,R为所述第一区域的电阻、所述第二区域去掉缺陷点的电阻与所述第三区域的电阻之和。

5.根据权利要求4所述的封装薄膜水汽透过率的测试方法,其特征在于,所述钙薄膜在t1时刻的实际厚度c1为:

其中,r1为t1时刻所述缺陷点的半径;

将所述钙薄膜在t1时刻的真实电阻值R实1带入式(6)作为R,获得所述钙薄膜在t1时刻的实际厚度c1

所述钙薄膜在t2时刻的实际厚度c2为:

其中,r2为t2时刻所述缺陷点的半径;

将所述钙薄膜在t2时刻的真实电阻值R实2带入式(7)作为R,获得所述钙薄膜在t2时刻的实际厚度c2

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