[发明专利]一种非心混阴离子晶体材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种非心混阴离子晶体，其特征在于，所述晶体的分子式为SrGeOSe₂；

所述晶体的结构属于正交晶系，空间群为P2₁2₁2₁，其晶胞参数为a=4.65Å，b=8.31Å，c=12.42Å，α=β=γ=90°。

2.根据权利要求1所述的晶体，其特征至于，所述晶体具有一维链状结构，所述一维链状结构主要是由杂化配位方式的GeO₂Se₂四面体作为基本的不对称结构单元，通过共用顶点O相互连接形成一维链状结构，碱土金属Sr分散填充在结构之中。

3.权利要求1-2任一项所述非心混阴离子晶体的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将含有氧化锶（SrO）、锗（Ge）、硒（Se）和碱金属卤化物（AX）的原料置于真空条件下，通过高温固相法制备得到所述非心混阴离子晶体；

所述AX中的A代表碱金属，X代表卤素。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锶、锗、硒和碱金属卤化物的摩尔比为（0.8~1.2）:1:（1.7~2.3）:（4~20）。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锶、锗、硒和碱金属卤化物的摩尔比为（0.9~1.1）:1:（1.8~2.1）:（5~15）。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，氧化锶、锗、硒和碱金属卤化物的摩尔比为1:1:2:6或1:1:2:12。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述A为K、Rb或Cs，X为Cl、Br或I。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述AX为AI。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述AX为CsI。

10.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（a）将氧化锶、锗、硒和碱金属卤化物充分研磨，混合均匀得到混合原料；

（b）步骤（a）所述混合原料经升温、保温、降温、自然冷却至室温，得到所述非心混阴离子晶体。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤（a）中得到混合原料后，将混合原料至于密闭容器中，所述密闭容器具有真空环境。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，真空压力为10^-4~10^-3Pa。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述密闭容器为密封的石英反应管。

14.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述升温、保温、降温、自然冷却至室温的过程在加热装置中进行。

15.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，步骤（b）中，所述升温达到的温度为600~1000℃。

16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于，所述升温达到的温度为700~900℃。

17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述升温达到的温度为750℃或850℃。

18.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，升温速率与后续降温速率一致。