[发明专利]功率合成器在审
| 申请号： | 202010450519.5 | 申请日： | 2020-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN111600105A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 段齐;刘耿烨 | 申请（专利权）人： | 广州安波通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/213 | 分类号： | H01P1/213;H01P5/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510700 广东省广州市广州高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 合成器 | ||
1.一种功率合成器，其特征在于，所述功率合成器包括：
同轴输入结构，所述同轴输入结构包括多个输入端口；
同轴输出结构，所述同轴输出结构包括一个输出端口；
介于所述同轴输入结构与所述同轴输出结构之间的同轴低通滤波结构。
2.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述同轴低通滤波结构为包括高阻抗段和低阻抗段的传输线。
3.根据权利要求2所述的功率合成器，其特征在于，所述同轴低通滤波结构包括三个高阻抗段和两个低阻抗段。
4.根据权利要求2所述的功率合成器，其特征在于，所述传输线为表面镀银的
5.根据权利要求2所述的功率合成器，其特征在于，还包括同轴阻抗渐变结构，所述同轴阻抗渐变结构固定连接于所述同轴输入结构与所述同轴低通滤波结构之间。
6.根据权利要求5所述的功率合成器，其特征在于，所述同轴低通滤波结构还包括与所述同轴输出结构匹配的输出接头，和与所述同轴阻抗渐变结构匹配的输入接口。
7.根据权利要求5所述的功率合成器，其特征在于，还包括包围所述同轴输入结构、所述同轴阻抗渐变结构及所述同轴低通滤波结构的金属外壳，所述金属外壳暴露出所述多个输入端口。
8.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，所述同轴输出结构为同轴探针输出结构。
9.根据权利要求1所述的功率合成器，其特征在于，还包括波导输出端口，所述波导输出端口与所述同轴输出结构匹配设置。
10.根据权利要求9所述的功率合成器，其特征在于，波导输出端口为矩形波导、圆波导或脊波导。
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