[发明专利]铜镍合金及其制备方法和应用、二维材料生长衬底

权利要求书

1.一种铜镍合金的制备方法，其特征在于，包括：

对铜箔进行预退火处理；

所述预退火处理后的铜箔经镀镍处理，得到铜镍复合箔；及

所述铜镍复合箔经退火合金化处理，得到所述铜镍合金。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜箔为多晶铜箔或单晶铜箔，所述铜箔的厚度为10μm～100μm。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述铜箔为高指数面单晶铜箔。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预退火处理在惰性气氛下进行，所述预退火处理的温度为800℃～1050℃，所述预退火处理的时间不少于30分钟。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火合金化处理在惰性气氛下进行，所述退火合金化处理的温度为1000℃～1100℃，所述退火合金化处理的时间不少于1小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镀镍处理的方法选自电化学法、磁控溅射法、气相沉积法和真空蒸发镀法中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镀镍处理后得到的镍的厚度为0.5μm～20μm。

8.一种铜镍合金，采用权利要求1～7中任一项所述的方法制备。

9.根据权利要求8所述的铜镍合金作为二维材料生长衬底的应用。

10.一种二维材料生长衬底，采用权利要求8所述的铜镍合金。