[发明专利]一种八管双端口静态随机存取存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种八管双端口静态随机存取存储器，其特征在于，包括：

第一门管，所述第一门管的漏极用作所述存储器的第一组读写双向端口的第一读写端口，所述第一门管的源极连接所述存储器的内部节点；

第二门管，所述第二门管的漏极用作所述第一组读写双向端口的第二读写端口，所述第二门管的源极连接所述存储器的反相内部节点；

第三门管，所述第三门管的漏极用作所述存储器的第二组读写双向端口的第一读写端口，所述第三门管的源极连接所述存储器的所述反相内部节点；以及

第四门管，所述第四门管的漏极用作所述第二组读写双向端口的第二读写端口，所述第四门管的源极连接所述存储器的所述内部节点，其中，

所述第二门管的导通阻抗小于所述第一门管的导通阻抗，以使从所述第一组读写双向端口的第一读写端口流入的第一读取电流与从所述第一组读写双向端口的第二读写端口流入的第二读取电流相等，

所述第四门管的导通阻抗小于所述第三门管的导通阻抗，以使从所述第二组读写双向端口的第一读写端口流入的第三读取电流与从所述第二组读写双向端口的第二读写端口流入的第四读取电流相等，

所述第一门管、所述第三门管、所述存储器的第一下拉管及所述存储器的第二下拉管是通过基础轻掺杂漏极植入工艺及基础口袋植入工艺来完成离子植入，

所述第二门管及所述第四门管是通过在所述基础轻掺杂漏极植入工艺及所述基础口袋植入工艺的基础上，进一步执行重度轻掺杂漏极植入工艺来完成离子植入。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一读取电流从所述第一组读写双向端口的第一读写端口流经所述内部节点的一端，并从所述存储器的第一下拉管流出所述存储器以读取所述内部节点存储的数据，所述第一下拉管的栅极连接所述内部节点的所述一端，

所述第二读取电流从所述第一组读写双向端口的第二读写端口流入所述反相内部节点的一端，并从所述反相内部节点的另一端经所述存储器的第二下拉管流出所述存储器以读取所述反相内部节点存储的数据，所述第二下拉管的栅极连接所述反相内部节点的所述另一端，

所述第三读取电流从所述第二组读写双向端口的第一读写端口流经所述反相内部节点的所述另一端，并从所述第二下拉管流出所述存储器以读取所述反相内部节点存储的数据，

所述第四读取电流从所述第二组读写双向端口的第二读写端口流入所述内部节点的另一端，并从所述内部节点的所述一端经所述第一下拉管流出所述存储器以读取所述内部节点存储的数据。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述第一门管的导通阻抗与所述第二门管的导通阻抗的差值等于从所述第二门管的源极到所述反相内部节点的所述另一端的阻抗，

所述第三门管的导通阻抗与所述第四门管的导通阻抗的差值等于从所述第四门管的源极到所述内部节点的所述一端的阻抗。

4.一种八管双端口静态随机存取存储器，其特征在于，包括：

第一门管，所述第一门管的漏极用作所述存储器的第一组读写双向端口的第一读写端口，所述第一门管的源极连接所述存储器的内部节点；

第二门管，所述第二门管的漏极用作所述第一组读写双向端口的第二读写端口，所述第二门管的源极连接所述存储器的反相内部节点；

第三门管，所述第三门管的漏极用作所述存储器的第二组读写双向端口的第一读写端口，所述第三门管的源极连接所述存储器的所述反相内部节点；以及

第四门管，所述第四门管的漏极用作所述第二组读写双向端口的第二读写端口，所述第四门管的源极连接所述存储器的所述内部节点，其中，

所述第二门管的导通阻抗小于所述第一门管的导通阻抗，以使从所述第一组读写双向端口的第一读写端口流入的第一读取电流与从所述第一组读写双向端口的第二读写端口流入的第二读取电流相等，

所述第四门管的导通阻抗小于所述第三门管的导通阻抗，以使从所述第二组读写双向端口的第一读写端口流入的第三读取电流与从所述第二组读写双向端口的第二读写端口流入的第四读取电流相等，

所述第一门管、所述第三门管、所述存储器的第一下拉管及所述存储器的第二下拉管是通过基础轻掺杂漏极植入工艺及基础口袋植入工艺来完成离子植入，

所述第二门管及所述第四门管是通过重度轻掺杂漏极植入工艺及轻度口袋植入工艺来完成离子植入。